一种LED晶片结构制造技术

技术编号:15866267 阅读:40 留言:0更新日期:2017-07-23 15:00
本发明专利技术提供了一种LED晶片结构,属于LED领域,包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体,N极导电金属层连接有N极引脚,所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚,所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道,通道内壁还设有绝缘层,通道内设有导电柱,导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。与现有技术相比,该LED晶片结构在本体中设有通道,通道内设有与N极金属层和N极引脚连接的导线柱,P极导电金属层直接连接P极引脚,这样避免利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接,减少制造工序,降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶片结构
本专利技术涉及LED领域,特别是一种LED晶片结构。
技术介绍
现有的LED晶片结构一般包括依次层叠的P极导电金属层01、P极结晶基板02、N极结晶基板03和N极导电金属层04,P极导电金属层01直接连接有P极引脚05,N极导电金属层04通过金线07连接有N极引脚06,金线07与N极导电金属层04之间需要通过焊盘08进行连接,然而由于晶片结构特别小,在N极导电金属层04上设置焊盘08非常麻烦,造成整个LED晶片制造工序繁琐,并且金线极细,制造困难,造成制造成本增加。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供了一种LED晶片结构,无需利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接,解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题,减少制造工序,降低制造成本。本专利技术采用的技术方案为:一种LED晶片结构,包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体,N极导电金属层连接有N极引脚,所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚,所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道,通道内壁还设有绝缘层,通道内设有导电柱,导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。优选地,绝缘层延伸至通道外且处于N极引脚与P极导电金属层之间。优选地,N极引脚与P极引脚的底面保持平齐。与现有技术相比,本专利技术的有益效果在于:本专利技术提供一种LED晶片结构,在本体中设有通道,通道内设有与N极金属层和N极引脚连接的导线柱,P极导电金属层直接连接P极引脚,这样避免利用金线将N极金属层和P极金属层分别与N极引脚和P极引脚连接,解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题,减少制造工序,降低制造成本。附图说明图1为现有技术中的LED晶片结构的剖视图;图2为本专利技术提供的一种LED晶片结构的剖视图。具体实施方式根据附图对本专利技术提供的优选实施方式做具体说明。图2,为本专利技术提供的一种LED晶片结构的优选实施方式。如图2所示,该LED晶片结构包括由依次层叠的P极导电金属层101、P极结晶基板102、N极结晶基板103和N极导电金属层104构成的本体10,N极导电金属层104连接有N极引脚20,所述P极导电金属层101连接有至少一个P极引脚30。值得注意的是,P极导电金属层101、P极结晶基板102、N极结晶基板103和N极导电金属层104是按照依次下至上的顺序叠放。所述本体10内设有贯穿N极结晶基板103、P极结晶基板102和P极导电金属层101的通道11,通道11内壁还设有绝缘层12,通道11内设有导电柱13,导电柱13的两端分别连接有N极导电金属层104和与N极引脚30,避免利用金线将N极金属层103和P极金属层101分别与N极引脚20和P极引脚30连接,解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题,减少制造工序,降低制造成本。作为一种优选实施方式,P极导电金属层101的底部边缘位置连接有两个P极引脚30,N极引脚20在P极导电金属层101下方,且处于两个P极引脚30之间,这样增加导电性。绝缘层12延伸至通道外且处于N极引脚20与P极导电金属层101之间,这样防止P极引脚30与N极引脚20之间出现短路。同时,N极引脚20与P极引脚30的底面保持平齐,这样便于进行粘贴在LED灯中。综上所述,本专利技术的技术方案可以充分有效的实现上述专利技术目的,且本专利技术的结构及功能原理都已经在实施例中得到充分的验证,能达到预期的功效及目的,在不背离本专利技术的原理和实质的前提下,可以对专利技术的实施例做出多种变更或修改。因此,本专利技术包括一切在专利申请范围中所提到范围内的所有替换内容,任何在本专利技术申请专利范围内所作的等效变化,皆属本案申请的专利范围之内。本文档来自技高网...
一种LED晶片结构

【技术保护点】
一种LED晶片结构,包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体,N极导电金属层连接有N极引脚,所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚,其特征在于,所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道,通道内壁还设有绝缘层,通道内设有导电柱,导电柱的两端分别连接有N极导电金属层和与N极引脚。

【技术特征摘要】
1.一种LED晶片结构,包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体,N极导电金属层连接有N极引脚,所述P极导电金属层下方连接有至少一个P极引脚,其特征在于,所述本体内设有贯穿N极结晶基板、P极结晶基板和P极导电金属层的通道,通道内壁...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈永平
申请(专利权)人:厦门市东太耀光电子有限公司
类型:发明
国别省市:福建,35

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