低功率/高速TSV接口设计制造技术

本发明专利技术涉及低功率/高速TSV接口设计以及用于设置在中介层衬底中的TSV的TSV接口电路，其在第一管芯和第二管芯之间形成连接，TSV接口电路包括设置在第一管芯中的驱动电路以及设置在第二管芯中的接收器电路，其中，驱动电路与均低于中介层衬底电压的第一电源电压和第二电源电压相连，这充分降低了TSV的寄生电容。接收器电路也与均低于中介层衬底电压的第一电源电压和第二电源电压相连。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及3D集成电路(“3D-IC”)中的衬底通孔。
技术介绍
衬底通孔(“TSV”)(也公知为硅通孔)技术对于实现集成电路的3D集成是非常 重要的。TSV是完全穿过衬底(诸如，硅晶圆或管芯)的垂直电连接件并且为制造3D封装件和3D IC提供了高性能的封装方案。TSV通常包括嵌入硅或其他半导体衬底(也被称为中介层)中的高纵横比金属通孔，并且金属通孔通过电介质衬垫(通常是氧化物)与衬底相隔离，从而形成金属氧化物半导体结构。为了实现低延迟信号传输，期望将TSV所引起的寄生电容保持尽可能低。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于设置在中介层衬底中的衬底通孔的衬底通孔接口电路，衬底通孔在第一管芯和第二管芯之间形成连接，其中，中介层衬底处于中介层衬底电压V1,衬底通孔接口电路包括驱动电路，设置在第一管芯中，驱动电路具有输入端和与衬底通孔相连的输出端，其中，驱动电路与第一电源电压_N*VDD和第二电源电压_(N+1)*VDD相连，并且第一电源电压和第二电源电压均低于中介层衬底电压优选地，驱动电路是包括并联配置在驱动电路的输入端和输出端之间的PMOS晶体管和NMOS晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于设置在中介层衬底中的衬底通孔的衬底通孔接口电路，所述衬底通孔在第一管芯和第二管芯之间形成连接，其中，所述中介层衬底处于中介层衬底电压VI，所述衬底通孔接口电路包括：驱动电路，设置在所述第一管芯中，所述驱动电路具有输入端和与所述衬底通孔相连的输出端，其中，所述驱动电路与第一电源电压?N*VDD和第二电源电压?(N+1)*VDD相连，并且其中，所述第一电源电压和所述第二电源电压均低于所述中介层衬底电压VI。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重辉，洪照俊，陈硕懋，叶德强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：