【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及输出驱动电路和晶体管输出电路，更具体地，涉及当小于源漏击穿电压并大于栅源击穿电压的高电压被施加到输出晶体管的栅极时能稳定地操作的输出驱动电路和晶体管输出电路。
技术介绍
P沟道晶体管(例如P沟道LDM0S)的操作电压根据源漏击穿电压BVsd、源栅击穿电压BVsg以及栅漏击穿电压BVgd而确定。在这些击穿电压中，源栅击穿电压BVsg是最低的。源栅击穿电压BVsg根据栅氧化物的厚度而确定。这是因为，由于晶体管的阀值电压Vth、源漏电流Isd、导通电阻Ron等根据氧化物的厚度而确定，栅极氧化物可能未被形成为具有过大的厚度。如果电源电压低于源漏击穿电压BVsd并高于源栅击穿电压BVsg，则当该电源电压施加到源极端子并且低电压(接地等)连接至源极端子时，则没有此问题出现。然而，如果为了操作晶体管，电源电压和低电压(接地)被施加到栅极端子，则电源电压被施加到源栅电压Vsg，在这种情况下，由于该电源电压大于源栅击穿电压BVsg，所以晶体管器件可能击穿。图5是常规输出驱动电路的示意性电路图。参考图5，当开关SWl闭合以使输出晶体管Tl导通时，如果电流I流过电源电压...
【技术保护点】
一种输出驱动电路，包括：基准电压产生单元，用于产生相对于高压电源具有预定电压差的基准电压；电平移位单元，包括晶体管锁存器，并根据输入端子的输入通过将所述高压电源应用于驱动电路的第一晶体管使所述第一晶体管截止，或根据输入端子的输入通过降低所述第一晶体管的栅电压来驱动所述第一晶体管；驱动电路单元，包括根据所述电平移位单元对将所述高压电源施加至输出晶体管的栅极的控制而被驱动的所述第一晶体管，和与所述第一晶体管互补地被驱动以降低所述输出晶体管的栅电压并驱动所述输出晶体管的第二晶体管；以及耐受电压保护单元，通过接收从所述基准电压产生单元产生的所述基准电压来驱动，并包括保护所述晶体管锁...
【技术特征摘要】
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