低功率架构制造技术

本文描述了用于在阈下区域附近或阈下区域中操作晶体管以降低功耗的系统和方法。在一个实施例中，一种用于低功率操作的方法包括经由包括多个晶体管的时钟路径(225)将时钟信号(Ck)发送到触发器(150)，其中该时钟信号具有与高于时钟路径(225)中的晶体管的阈值电压的高电压(VH)相对应的高状态。该方法还包括经由包括多个晶体管的数据路径(135)将数据信号(D)发送到该触发器(150)，其中该数据信号具有与低于数据路径(135)中的晶体管的阈值电压的低电压(VL)相对应的高状态。该方法还包括在触发器(150)处使用时钟信号(Ck)来锁存数据信号(D)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】低功率架构相关申请本申请依据35 U.S.C.§ 119(e)要求于2013年3月15日提交的美国临时申请N0.61/800, 116的优先权，其整个说明书通过援引纳入于此。背景领域本公开的各方面一般涉及低功率设备，且更具体地涉及其中晶体管在阈下区域附近或阈下区域中操作以降低功耗的低功率设备。
技术介绍
设备中的晶体管可以在阈下区域附近或阈下区域中操作以显著降低该设备的功耗。例如，阈下操作使每周期的能耗被最小化。概述以下给出对一个或多个实施例的简化概述以提供对此类实施例的基本理解。此概述不是所有构想到的实施例的详尽综览，并且既非旨在标识所有实施例的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有实施例的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或更多个实施例的一些概念以作为稍后给出的更加具体的说明之序。根据一方面，本文中描述了一种低功率设备。该低功率设备包括:用于传播时钟信号的时钟路径，其中时钟路径包括多个晶体管；以及配置成生成时钟信号的时钟源，该时钟信号具有与高于时钟路径中的晶体管的阈值电压的高电压相对应的高状态。该低功率设备还包括:用于传播数据信号的数据路径，其中该数据路径包括多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功率设备，包括：用于传播时钟信号的时钟路径，其中所述时钟路径包括多个晶体管；配置成生成所述时钟信号的时钟源，所述时钟信号具有与高于所述时钟路径中的晶体管的阈值电压的高电压相对应的高状态；用于传播数据信号的数据路径，其中所述数据路径包括多个晶体管；配置成生成所述数据信号的数据源，所述数据信号具有与低于所述数据路径中的晶体管的阈值电压的低电压相对应的高状态；以及触发器，其配置成接收来自所述时钟路径的所述时钟信号，接收来自所述数据路径的所述数据信号，以及使用所述时钟信号来锁存所述数据信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·布鲁诺利，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US