孔洞在先的硬掩模限定制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及制造方法，诸如，MTJ器件及制造MTJ器件的方法。该MTJ器件可以包括底部电极、MTJ堆叠件以及顶部电极，其中，使用孔洞填充技术形成该顶部电极。该顶部电极可以具有倾斜的侧壁。可以通过沉积对应的MTJ层来形成该MTJ堆叠件。可以在MTJ层上方形成并且图案化经过图案化的掩模，从而形成限定出顶部电极的开口。利用导电材料填充该开口，从而形成顶部电极。然后，将该顶部电极用作掩模来图案化MTJ层，从而形成MTJ堆叠件。本发明专利技术还提供了一种孔洞在先的硬掩模限定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种孔洞在先的硬掩模限定。
技术介绍
半导体存储装置被使用在用于包括收音机、电视、移动电话以及个人计算装置的电子应用方式的集成电路中。普遍公知的存储装置包括电荷存储装置，诸如，动态随机存储器(DRAM)和闪存。近来，存储装置的发展涉及到了将半导体技术与电磁材料结合的自旋电子器件。使用电子的自旋极化，而不再使用电子电荷来表示状态“ I ”或“ O ”。一种这类的自旋电子器件是自旋力矩转移(STT)磁隧道结(MTJ)器件。 通常，MTJ器件包括自由层、固定层以及插入到自由层和固定层之间的隧道层。可以通过施加电流穿过隧道层使自由层的磁化方向反向变化，该电流导致自由层内部的注入的极化电子在自由层的磁化上施加自旋力矩。固定层具有固定的磁化方向。当电流在从自由层到固定层的方向上流动时，电子在相反的方向上流动，即，从固定层流向自由层。在经过固定层之后，电子被极化朝向与固定层的磁化方向相同的方向流经隧道层，并且随后流入到自由层中并且在其中聚积。实际上，自由层的磁化与固定层的磁化平行，并且MTJ器件将处在低电阻状态下。由电流导致的电流注入被称为主要注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成集成电路的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有形成在其上的底部电极层和磁隧道结(MTJ)堆叠层；形成覆盖着所述MTJ堆叠层的掩模层；在所述掩模层中形成开口，以暴露出所述MTJ堆叠层的一部分；在所述开口中形成顶部电极；以及使用所述顶部电极作为掩模来图案化所述MTJ堆叠层，从而形成MTJ堆叠件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄韦翰，刘世昌，徐晨祐，宋福庭，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：