【技术实现步骤摘要】
技术介绍
如果将碳用作平面化的填料材料，回蚀(etch-back)工艺可将碳填料材料蚀刻至低于位线的位置由此损伤磁位。有效的回蚀停止将在平面化过程中保护磁位不受低于位线蚀刻的影响。附图简述图I示出一个实施例的、在碳域平面化过程中保护磁位的方法的总览的方框图。图2示出一个实施例的、在碳域平面化过程中保护磁位的方法的总览流程图的方框图。图3仅为示例目的示出一个实施例的、在布图叠层上的氮化硅止蚀层汽相沉积工 艺的一个例子。图4A仅为示例目的示出一个实施例的经沉积的薄氮化硅止蚀层的一个例子。图4B仅为示例目的示出一个实施例的具有增加厚度的经沉积的薄氮化硅止蚀层的一个例子。图5A仅为示例目的示出一个实施例的经沉积的碳填充层的一个例子。图5B仅为示例目的示出一个实施例的碳域的平面化蚀刻的一个例子。图6A仅为示例目的示出一个实施例的、当将碳域蚀刻至位线时磁位的氮化硅止蚀层保护的一个例子。图6B仅为示例目的示出一个实施例的、当将碳域蚀刻至低于位线时磁位的氮化硅止蚀层保护的一个例子。图7仅为示例目的示出一个实施例的、随着平面化工艺的结束将氮化硅止蚀层去除直至位线的一个例子。详细说明在后...
【技术保护点】
一种在碳域平面化过程中保护磁位的方法，包括：在经布图的叠层的磁位和磁膜上沉积止蚀层；在所述止蚀层上沉积填充层；以及在所述填充层的平面化和回蚀过程中使用所述止蚀层以在所述碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓民，M·R·费尔德鲍姆，P·拉乔拉，H·拉姆，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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