【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子领域，涉及微米纳米薄膜制备技术、磁性物理、微纳电子技术、微纳制造技术、传感技术等众多的
，具体涉及一种磁传感芯片的制造方法，磁传感芯片包括各向异性磁电阻、巨磁电阻或隧道磁电阻磁传感芯片。
技术介绍
磁传感芯片由于具有低功耗、小体积、高灵敏、易集成、低成本、响应快、分辨率高、稳定性好、高可靠等一系列优点，在磁信息存储、自动化等领域，尤其在全球范围内方兴未艾的物联网领域，展示了广阔的应用前景。如图Ia所示，磁传感芯片包括基底1，在基底I的表面设有磁敏感薄膜2以及导体3，导体3可以是导线、焊盘，其设置在磁敏感薄膜2的两端。然而，目前的磁传感芯片中，由于磁敏感薄膜2的长宽比较大，因此退磁场比较大，这将导致磁滞回线拉宽，从而导致磁传感芯片灵敏度较低。图Ib是现有技术中单条磁传感芯片 在零磁场附近灵敏度低的测试结果曲线图，其中横轴数据为外加磁场，纵轴数据为磁传感芯片电阻值。从图Ib所示可知，目前的磁传感芯片的灵敏度较低。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述缺陷，本专利技术提供一种磁传感芯片的制造方法，通过该方法可以获得高灵敏度的磁传感芯片。本专利技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.磁传感芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤 在基底上制备磁敏感薄膜； 通过分段改变所述磁敏感薄膜的退磁场； 在所述磁敏感薄膜表面制备电极及导线，形成磁传感芯片； 在所述磁传感芯片表面沉积保护层； 将所述带有保护层的磁传感芯片基底分离获得独立的磁传感芯片。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述基底可以是硅、碳化硅、氮化硅、锗硅、砷化镓、氮化镓、氮化铝、氮化铟、陶瓷、玻璃、非晶二氧化硅、热氧化硅、氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、镐酸铅、钛酸镐酸铅、钛酸镐酸镧酸铅、铝酸镧、铝酸镁、铝酸锂、镓酸锂钛酸锶、钛酸锶钡、铝镓氮、硼化锆、镧锰氧、镨钙锰氧、铝酸镁、氧化锆、聚四氟乙烯等。3.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述磁敏感薄膜可以是各向异性磁电阻薄膜、巨磁电阻薄膜或隧道磁电阻薄膜。4.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述磁敏感薄膜可以通过以下方法获得溅射工艺、金属有机化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、激光分子束外延工艺、原子层沉积工艺、离子束沉积工艺或分子束外延工艺。5.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，通过切割法、电流法、加热法、外磁场法、反溅法或掺杂法分段改变所述磁敏感薄膜的退磁场。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述切割分段法可以是下列一种切割方法或几种切割方法的混合电加工，高密度束流加工，离子束加工，刻蚀加工，激光加工，声能加工，化学能加工，电化学能加工，热能加工，光学加工，机械能加工，线切割，电火花加工，电化学加工，电子束加工，反应离子刻蚀、离子束刻蚀，磨料流加工，液体喷射加工，等离子弧加工，激光切割、激光微细加工，激光化学反应加工，超声加工，化学腐蚀，化学铣切加工，照相制版加工，刻蚀加工，电化学电弧加工，电化学腐蚀加工，超声放电加工，复合电解加工，氧化、硝化等气体反应，机械加工，微电子加工。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过完全切割或部分切割方式分段改变所述磁敏感薄膜的退磁场，其中，所述部分切割的切口部分位于磁敏感薄膜高度方向的中央位置，或靠近磁敏感薄膜高度方向的上沿或下沿，或位于磁敏感薄膜高度方向的上沿或下沿，或贯穿整个磁敏感薄膜的高度；所述切口部分位于磁敏感薄膜宽度方向的中央位置、中央偏上位置、中央偏下位置、上沿、下沿或贯穿整个磁敏感薄膜的宽度。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过电流法分段改变磁敏感薄膜的退磁场，实施所述电流法所采用的电流导线设置于磁敏感薄膜的上表面或下表面或在上表面、下表面同时设置，所述电流导线可以是纯导体，或者是导体与绝缘体的复合体。9.根据权利要求5所...
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