磁传感装置及其感应方法、制备工艺制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
磁传感装置及其感应方法、制备工艺
本专利技术属于半导体
，涉及一种磁传感装置，尤其涉及一种Z轴磁传感装置；本专利技术还涉及一种Z轴磁传感装置的感应方法，同时，本专利技术还涉及一种Z轴磁传感装置的制备工艺。
技术介绍
磁传感器按照其原理，可以分为以下几类：霍尔元件，磁敏二极管，各项异性磁阻元件(AMR)，隧道结磁阻(TMR)元件及巨磁阻(GMR)元件、感应线圈、超导量子干涉磁强计等。电子罗盘是磁传感器的重要应用领域之一，随着近年来消费电子的迅猛发展，除了导航系统之外，还有越来越多的智能手机和平板电脑也开始标配电子罗盘，给用户带来很大的应用便利，近年来，磁传感器的需求也开始从两轴向三轴发展。两轴的磁传感器，即平面磁传感器，可以用来测量平面上的磁场强度和方向，可以用X和Y轴两个方向来表示。以下介绍现有磁传感器的工作原理。磁传感器采用各向异性磁致电阻(AnisotropicMagneto-Resistance)材料来检测空间中磁感应强度的大小。这种具有晶体结构的合金材料对外界的磁场很敏感，磁场的强弱变化会导致AMR自身电阻值发生变化。在制造、应用过程中，将一个强磁场...
【技术保护点】
一种磁传感装置，其特征在于，所述装置包括：基底；第一电极层，设置于所述基底上，包括n个第一电极，n为整数；所述第一电极层依次为电极E10、电极E11、电极E12、…、电极E1n‑1；沟槽，通过沉积介质材料层，并在介质材料层上形成沟槽；磁性材料层，沉积在基底上方以及所述沟槽的侧面，磁性材料层的底部与第一电极连接；第二电极层，设置于所述介质材料层与磁性材料层上，包括n个第二电极，n为整数；第二电极层依次为电极E21、电极E22、电极E23、…、电极E2n；电极E1i‑1与电极E1i之间、电极E2i与电极E2i+1之间的距离分别大于电极E1i‑1与电极E2i之间的距离，其中，1≤...
【技术特征摘要】
1.一种磁传感装置，其特征在于，所述装置包括：基底；第一电极层，设置于所述基底上，包括n个第一电极，n为整数；所述第一电极层依次为电极E10、电极E11、电极E12、…、电极E1n-1；沟槽，通过沉积介质材料层，并在介质材料层上形成沟槽；磁性材料层，沉积在基底上方以及所述沟槽的侧面，磁性材料层的底部与第一电极连接；第二电极层，设置于所述介质材料层与磁性材料层上，包括n个第二电极，n为整数；第二电极层依次为电极E21、电极E22、电极E23、…、电极E2n；电极E1i-1与电极E1i之间、电极E2i与电极E2i+1之间的距离分别大于电极E1i-1与电极E2i之间的距离，其中，1≤i≤n-1，i为整数；连接线和连接通孔，开在介质层中的通孔深度直到第一电极的上方，通孔中沉积第二电极的电极材料，用以连接电极E1i、电极E2i，使得电极E1i、电极E2i短路连接，为等电位；其中，1≤i≤n-1；加压模块，用以向电极E10及电极E2n的加压；在电极E1j-1和电极E2j之间由于存在电势差形成电流，其中，1≤j≤n；而电极E1j和电极E2j之间等电位、无电流；磁场测量模块，用以测量外围磁场的强度和方向；在没有外围环境磁场的情况下，电流与磁性材料层的磁材料自极化的方向具有设定夹角，在电极E1j-1和电极E2j之间存在一设定电阻值；在存在外围磁场的情况下，电流与磁材料磁场的夹角发生偏转，对应着电极E1j-1和电极E2j之间电阻值的变化，即电极E10和电极E2j之间总电阻值也发生变化；通过测量电极E10和电极E2j之间总电阻值的变化，实现磁场强度和方向的测量。2.根据权利要求1所述的磁传感装置，其特征在于：所述第一电极层与第二电极层的走向平行，依次错落排布。3.根据权利要求1所述的磁传感装置，其特征在于：所述电极E1i-1与电极E1i之间、电极E2i与电极E2i+1之间的距离分别大于电极E1i-1与电极E2i之间距离的2倍。4.根据权利要求1所述的磁传感装置，其特征在于：所述磁性材料层沉积在所述沟槽的一个侧面或两个侧面。5.根据权利要求1至4之一所述的磁传感装置，其特征在于：所述磁性材料层与所述基底之间的夹角为75°～90°。6.根据权利要求1至4之一所述的磁传感装置，其特征在于：所述电极E1j-...
【专利技术属性】
技术研发人员：万旭东，万虹，张挺，
申请(专利权)人：上海矽睿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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