【技术实现步骤摘要】
本文中描述的实施例一般而言涉及磁阻元件和磁存储器。
技术介绍
磁阻元件具有包括具有恒定磁化的磁性层(參考层)、具有可变磁化的磁性能(存储层)以及在这两个磁性层之间的非磁性层的叠层结构作为基本结构,并被用于磁随机存取存储器的存储器基元(memory cell)或可重构的逻辑电路的自旋场效应晶体管(FET)的LSI等等。在该情况下,以柱状来构图磁阻元件。此外,作为磁阻元件中固有的问题,存在这样的问题存储层的磁滞曲线因受由參考层的磁化导致的磁场(杂散磁场)的影响而从不存在杂散磁场时的曲线沿预定方向偏移(shift)。为了使该曲线返回到原始状态,需要将用于抵消杂散磁场的偏移调整层添加到磁阻元件。然而,近年来,已经开发了通过自旋注入的写入系统、垂直磁化型磁阻元件等等。相应地,磁阻元件的小型化迅速进展。因此,即使最終形成了厚的偏移调整层,也难以使存储层的磁滞曲线返回到不存在杂散磁场时的原始状态。
技术实现思路
概括而言,根据ー个实施例,一种磁阻元件,包括存储层,其具有垂直且可变的磁化;參考层,其具有垂直且恒定的磁化;偏移调整层,其具有沿与所述參考层的磁化相反的方向的垂直且恒定的 ...
【技术保护点】
一种磁阻元件,包括:存储层,其具有垂直且可变的磁化;参考层,其具有垂直且恒定的磁化;偏移调整层,其具有沿与所述参考层的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化;第一非磁性层,其在所述存储层与所述参考层之间;以及第二非磁性层,其在所述参考层与所述偏移调整层之间,该磁阻元件的特征在于,所述参考层的切换磁场等于或小于所述存储层的切换磁场,且所述参考层的磁弛豫常数大于所述存储层的磁弛豫常数。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:西山胜哉,相川尚德,甲斐正,永濑俊彦,上田公二,与田博明,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:
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