【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铁电及多铁材料，纳米多层膜和逻辑器件领域，具体地说，涉及一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。
技术介绍
铁电及多铁材料的极化强度随着外加电场强度的变化出现电滞现象，其电阻随着外加电场强度的变化出现高电阻态和低电阻态。利用铁电材料的这一性质，可以通过调节外加电场强度的大小及方向改变铁电或多铁材料极化强度的方向，从而实现高电阻态和低电阻态，这两种电阻态的变化率可以 达到400%以上。(参考文献S. Rizwan andX. F. Han*et al. ,CPL Vol. 28,No. 10(2011) 107504)。高电阻态和低电阻态相当于信息领域的“O”和“1”，既可以实现存储功能(可以用于存储器)，又可以实现逻辑功能(可以用于逻辑器件)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜，制备成逻辑器件，并实现逻辑功能。本专利技术的上述目的是通过以下技术方案实现的方案一结构a.底层/衬底/磁性层/覆盖层其中底层为导电材料，用于在衬底上施加电场；衬底为铁电或多铁材料，可在电场的作用下改变极化强度的...
【技术保护点】
一种基于有势垒对称双功能层纳米多层膜的逻辑器件，其特征在于，由下至上依次包括：复合层、缓冲层、势垒层、导电层、功能自由层、覆盖层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秀峰，李大来，刘东屏，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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