本发明专利技术提供了一种NAND Flash操作处理方法、装置及逻辑器件，该方法包括：建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表；判断对NAND Flash进行操作的地址是否存在于地址保护表中；在判断结果为是的情况下，屏蔽对NAND Flash的操作，通过本发明专利技术，解决了相关技术中NAND Flash存在被错误擦除与写入的问题，进而达到了不仅能够有效避免重要存储区域被损坏，而且有效地提高了NAND Flash存储数据的可靠性的效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信领域，具体而言，涉及一种NAND Flash操作处理方法、装置及逻辑器件。
技术介绍
目前比较常见的非易失性存储器包括NOR Flash (NOR闪存)和NAND Flash (NAND闪存)两种，相比于NOR Flash, NAND Flash存储器具备写入速度比NOR Flash存储器快很多、擦除速度远比NORFlash存储器快、单片容量较大、单位存储容量成本低等优点，适用于大量数据的存储。由于技术发展需求和成本方面的原因，NAND Flash已经在各种电子产品中有很广泛的应用。在各种选用NAND Flash的场合中，来自软件的不当操作有可能导致NAND Flash被错误地擦除，会造成比较严重的后果，尤其是当用于系统引导的Boot和系统运行版本被错误擦除时甚至可能导致系统无法启动。因此，在相关技术中，NAND Flash存在被错误擦除与写入引起的不可靠的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种NAND Flash操作处理方法、装置及逻辑器件，以解决相关技术中NAND Flash存在被错误擦除与写入引起的不可靠的问题。根据本专利技术的一个方面，提供了一种NAND Flash操作处理方法，包括:建立对NANDFlash保护区进行保护的地址保护表；判断对所述NAND Flash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中；在判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NAND Flash的操作。优选地，建立对所述NAND Flash保护区进行保护的所述地址保护表包括:对所述NAND Flash保护区的不同区域进行保护的重要程度划分级别；依据划分级别后的所述不同区域对应的地址，建立地址保护表。优选地，在建立对所述NAND Flash保护区进行保护的所述地址保护表之后，还包括:对所述地址保护表进行更新。优选地，判断对所述NAND Flash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中包括:解析来自中央处理器CPU的对所述NAND Flash进行操作的信号命令；比较所述信号命令所针对的所述NAND Flash的地址与所述地址保护表中的地址是否匹配；在匹配的情况下，确定对所述NAND Flash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中。优选地，屏蔽对所述NAND Flash的操作包括:判断对所述NAND Flash的操作的操作类型是否为修改操作；在判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NAND Flash的操作。根据本专利技术的另一方面，提供了一种NAND Flash操作处理装置，包括:建立模块，用于建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表；判断模块，用于判断对所述NANDFlash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中；屏蔽模块，用于在所述判断模块的判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NAND Flash的操作。优选地，所述建立模块包括:划分单元，用于对所述NAND Flash保护区的不同区域进行保护的重要程度划分级别；建立单元，用于依据划分级别后的所述不同区域对应的地址，建立地址保护表。优选地，该装置还包括:更新模块，用于对所述地址保护表进行更新。优选地，所述判断模块包括:解析单元，用于解析来自中央处理器CPU的对所述NAND Flash进行操作的信号命令；比较单元，用于比较所述信号命令所针对的所述NANDFlash的地址与所述地址保护表中的地址是否匹配；确定单元，用于在匹配的情况下，确定对所述NAND Flash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中。优选地，所述屏蔽模块包括:判断单元，用于判断对所述NAND Flash的操作的操作类型是否为修改操作；屏蔽单元，用于在所述判断单元的判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NAND Flash的操作。根据本专利技术的再一方面，提供了一种逻辑器件，包括上述任一项所述的装置。通过本专利技术，采用建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表；判断对所述NAND Flash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中；在判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NAND Flash的操作，解决了相关技术中NAND Flash存在被错误擦除与写入引起的存储不可靠的问题，进而达到了不仅能够有效避免重要存储区域被损坏，而且有效地提高了 NAND Flash存储数据的可靠性的效果。【附图说明】此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1是根据本专利技术实施例的NAND Flash操作处理方法的流程图；图2是根据本专利技术实施例的NAND Flash操作处理装置的结构框图；图3是根据本专利技术实施例的NAND Flash操作处理装置中建立模块22的结构框图；图4是根据本专利技术实施例的NAND Flash操作处理装置的优选结构框图；图5是根据本专利技术实施例的NAND Flash操作处理装置中判断模块24的结构框图；图6是根据本专利技术实施例的NAND Flash操作处理装置中屏蔽模块26的结构框图；图7是根据本专利技术实施例的逻辑器件的结构框图；图8是根据本专利技术实施例的防止NAND Flash被误擦除和误写入的架构示意图；图9是根据本专利技术实施例的防止NAND Flash被误擦除和误写入的实现方法功能说明图；图10是根据本专利技术实施例的防止NAND FLASH被误擦除和误写入的实现方法的流程图；图11是根据本专利技术实施例的防止NAND FLASH被误擦除和误写入的实现方法的增加或修改保护区的流程图。【具体实施方式】下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本实施例中提供了一种NAND Flash操作处理方法，图1是根据本专利技术实施例的NAND Flash操作处理方法的流程图，如图1所示，该流程包括如下步骤:步骤S102，建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表；步骤S104，判断对NAND Flash进行操作的地址是否存在于地址保护表中；步骤S106，在判断结果为是的情况下，屏蔽对NAND Flash的操作。通过上述步骤，依据建立地址保护表来对NAND Flash的存储区域进行保护，不仅有效地解决了相关技术中不对NAND Flash区域进行保护，导致NAND Flash被错误擦除与写入引起的存储不可靠，甚至可能导致系统无法启动的问题，而且有效地提高了 NAND Flash存储数据的可靠性的效果。在建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表时，可以采用多种方式，例如，在需要对各个保护区域区别对待时，可以对NAND Flash保护区的不同区域进行保护的重要程度划分级别；依据划分级别后的不同区域对应的地址，建立地址保护表。通过这样的处理，使得NAND Flash区域存储的数据有重要程度的区分，比如，对于特别重要不能删除的可以将其的保护级别设置得最高，对于一般重要的可以设置得稍微低一些。优选地，在建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表之后，还可以对地址保护表进行更新，例如，在不同的时期，NAND Flash存储区域的重要性会发生变化，因此，需要对地址保护表进行相当前第1页1 2 3&n本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种NAND Flash操作处理方法，其特征在于，包括：建立对NAND Flash保护区进行保护的地址保护表；判断对所述NAND Flash进行操作的地址是否存在于所述地址保护表中；在判断结果为是的情况下，屏蔽对所述NAND Flash的操作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈楠科，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。