形成底部电极和相变电阻的方法技术

一种形成底部电极和相变电阻的方法，包括：提供基底；在基底上形成具有底部电极的第一介质层，底部电极的表面与第一介质层的表面相平；在底部电极上依次形成中间层和帽层，覆盖底部电极；以帽层为掩膜对中间层进行离子注入，在中间层形成具有掺杂离子的外侧部、外侧部之间的中间层为中间部；去除帽层和外侧部；以中间部为掩膜刻蚀底部电极，去除未被中间部遮盖的部分高度的底部电极，在剩余的底部电极和第一介质层之间形成凹槽；去除中间部；在凹槽内形成第二介质层，第二介质层的表面与第一介质层的表面相平；在剩余的底部电极上形成相变电阻。本技术方案工艺简单、容易控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
随着信息技术的发 展，存储器件的需要越来越大，因此促进了存储器件朝着高性能、低压、低功耗、高速及高密度方向发展。相变存储器(PCRAM，phase change RandomAccess Memory)是在CMOS集成电路基础上发展起来的新一代非易失性存储器,其使用元素周期表中V族或VI族的ー种或ー种以上元素的合金作为相变电阻，用相变电阻作为存储单元，相变电阻在以电脉冲的形式集中加热的情况下，能够从有序的晶态(电阻低)快速转变为无序的非晶态(电阻高得多)。典型的相变存储器使用硫族化物合金(比如GST，GeSbTe)作为相变电阻，存储单元是ー种极小的硫族合金颗粒，相变电阻的非晶(a_GST，a-GeSbTe)和结晶(c_GST，C-GeSbTe)状态具有不同的电阻率，结晶状态具有大约为千欧姆(kQ)的典型电阻，而非晶状态具有大约为兆欧姆(MQ)的典型电阻，因此通常利用硫族化物合金材料(比如GST，GeSbTe)制作相变电阻。通过测量PCRAM存储单元的电阻值(即相变电阻的电阻值)来读取PCRAM单元。对于相变存储器来说，底部电极和相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成具有底部电极的第一介质层，所述底部电极的表面与所述第一介质层的表面相平；在所述底部电极上依次形成中间层和帽层，覆盖所述底部电极；以所述帽层为掩膜对所述中间层进行离子注入，在所述中间层形成具有掺杂离子的外侧部，所述外侧部之间的中间层为中间部；去除所述帽层和所述外侧部；以所述中间部为掩膜刻蚀所述底部电极，去除未被所述中间部遮盖的部分高度的底部电极，在剩余的底部电极和所述第一介质层之间形成凹槽；去除所述中间部；在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平；在所述剩余的底部电极上形成相变电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张翼英，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：