底部电极和相变电阻的形成方法技术

一种底部电极和相变电阻的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成具有底部电极的第一介质层，底部电极的表面与第一介质层的表面相平；在底部电极上形成具有开口的掩膜层，开口暴露底部电极；在开口内形成嵌段共聚物，对嵌段共聚物进行退火将嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料；去除间隔排列的不同材料中至少一种材料，以掩膜层和剩余的材料为掩膜刻蚀去除部分高度的底部电极，在底部电极和第一介质层之间形成凹槽；去除剩余的材料和掩膜层；在凹槽内形成第二介质层，第二介质层的表面与第一介质层的表面相平；在剩余的底部电极上形成相变电阻。本技术方案工艺简单、容易控制。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及底部电极和相变电阻的形成方法。
技术介绍
随着信息技术的发展，存储器件的需要越来越大，因此促进了存储器件朝着高性能、低压、低功耗、高速及高密度方向发展。相变存储器(PCRAM，phase change RandomAccess Memory)是在CMOS集成电路基础上发展起来的新一代非易失性存储器,其使用元素周期表中V族或VI族的一种或一种以上元素的合金作为相变电阻，用相变电阻作为存储单元，相变电阻在以电脉冲的形式集中加热的情况下，能够从有序的晶态(电阻低)快速转变为无序的非晶态(电阻高得多)。典型的相变存储器使用硫族化物合金(比如GST，GeSbTe)作为相变电阻，存储单元是一种极小的硫族合金颗粒，相变电阻的非晶(a_GST，a-GeSbTe)和结晶(c_GST，C-GeSbTe)状态具有不同的电阻率，结晶状态具有大约为千欧姆(kQ)的典型电阻，而非晶状态具有大约为兆欧姆(ΜΩ)的典型电阻，因此通常利用硫族化物合金材料(比如GST，GeSbTe)制作相变电阻。通过测量PCRAM存储单元的电阻值(即相变电阻的电阻值)来读取PCRAM单元。对于相变存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成具有底部电极的第一介质层，所述底部电极的表面与所述第一介质层的表面相平；在所述底部电极上形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露所述底部电极；在所述开口内形成嵌段共聚物，对所述嵌段共聚物进行退火将所述嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料；去除间隔排列的不同材料中至少一种材料，以所述掩膜层和剩余的材料为掩膜刻蚀去除部分高度的底部电极，在所述底部电极和所述第一介质层之间形成凹槽；去除剩余的材料和掩膜层；在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平；在剩余的底部电极上形成相变电阻。

【技术特征摘要】
1.一种底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，包括 提供基底； 在所述基底上形成具有底部电极的第一介质层，所述底部电极的表面与所述第一介质层的表面相平； 在所述底部电极上形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露所述底部电极； 在所述开口内形成嵌段共聚物，对所述嵌段共聚物进行退火将所述嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料； 去除间隔排列的不同材料中至少一种材料，以所述掩膜层和剩余的材料为掩膜刻蚀去除部分高度的底部电极，在所述底部电极和所述第一介质层之间形成凹槽； 去除剩余的材料和掩膜层； 在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平； 在剩余的底部电极上形成相变电阻。2.如权利要求I所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述嵌段共聚物的材料为聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯； 在所述开口内形成嵌段共聚物，对所述嵌段共聚物进行退火将所述嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料包括 在所述开口内形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯，对所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯进行退火，退火之后，所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯材料分成间隔排列的聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯； 所述去除间隔排列的不同材料中至少一种材料为去除聚甲基丙烯酸甲酯；剩余的材料为聚苯乙烯。3.如权利要求2所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述在所述开口内形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯的方法为旋涂法。4.如权利要求2所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，在紫外线的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张翼英，何其旸，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：