具有二极管整流能力的电阻式存储器制造技术

本发明专利技术公开一种具二极管整流能力的电阻式存储器结构，其包括一第一电极、一第二电极与一电阻转换层。电阻转换层设置于第一电极与第二电极之间，且电阻转换层包括邻接于第一电极的一第一氧化绝缘层，邻接于第二电极的一第二氧化绝缘层，与设置于第一氧化绝缘层与第二氧化绝缘层之间的一能障调控层。能障调控层与第一氧化绝缘层之间，可由电压调控能障大小，进而改变电阻值，第二氧化绝缘层与能障调控层间，形成固定能障，使电阻式存储器元件兼具二极管整流功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电阻式存储器，特别是涉及通过电压调控能障而兼具有可变电阻特性与二极管整流特性的电阻式存储器。
技术介绍
请参照图IA绘示现有技术的电阻式存储器使用于交点式存储器阵列示意图，图IB绘示现有技术的电阻式存储器的ITlR结构示意图，图IC绘示现有技术的电阻式存储器的IDlR结构示意图。一般存储器常被制作形成存储器阵列结构。如图1A，当电阻式存储器应用于交点式阵列结构时，在读取一选取存储单元(selected cell) 11的为off状态时，会因为目标存 储单元周边的未选取存储单元(unselected cell) 12处与导通状态的(图IA绘示的虚线)影响，导致误判选取存储单元11实际状态的情形，使得电阻式存储器无法被单独使用于读取存储单元的作业。因此，电阻式存储器一般会将一电阻元件10搭配一晶体管(Transistor) 13而形成图IB绘示的ITlR结构，或是将电阻元件10搭配一二极管(Diode) 14而形成图IC绘示的IDlR结构，并将此类结构(1T1R或1D1R)结合于存储器阵列中。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术揭露一种具有二极管整流能力的电阻式存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有二极管整流能力的电阻式存储器结构，包括：第一电极；第二电极；以及电阻转换层，设置于该第一电极与该第二电极之间，该电阻转换层包括：第一氧化绝缘层，邻接于该第一电极；第二氧化绝缘层，邻接于该第二电极；及能障调控层，设置于该第一氧化绝缘层与该第二氧化绝缘层之间，并与该第一氧化绝缘层之间形成一能障，与该第二氧化绝缘层之间形成一固定能障，其中，一工作偏压自该第一电极跨接至该第二电极时，该电阻转换层呈现一经由该能障调控层与该第一氧化绝缘层相互反应以调节该能障的可变电阻特性，与由该固定能障调节电流的一二极管特性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张鼎张，徐詠恩，简富彦，蔡铭进，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：