一种电阻型存储器及其制备方法技术

本发明专利技术属存储器技术领域，提供了一种电阻型存储器及其制备方法，该电阻型存储器包括下电极、上电极以及置于上、下电极间的存储介质层，该存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层，基于第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于基于第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，金属氮氧化物层通过基于第一金属材料的金属氮化物层在接触基于第二金属材料的金属氧化物层的界面处被部分地氧化形成。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及开态电阻高、高低阻窗口大、以及数据保持能力好的优点，能明显提高电阻型存储器的存储性能，且其制备方法相对简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器
,具体涉及电阻型存储器(Resistive Memory),尤其涉及选择一种金属氧化物的吉布斯自由能绝对值较大的金属、以在该金属氮化物层与下电极氧化物层之间形成一层金属氮氧化物的电阻型存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器在半导体市场中占有重要的地位，由于便携式电子设备的不断普及，不挥发存储器在整个存储器市场中的份额也越来越大，其中90%以上的份额被FLASH(闪存)占据。但是由于存储电荷的要求，FLASH的浮栅不能随技术代发展无限制减薄，有报道预测FLASH技术的极限在20nm左右，这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代不挥发存储器。最近电阻型转换存储器件(Resistive Switching Memory)因为其高密度、低成本、可突破 技术代发展限制的特点引起高度关注，所使用的材料有相变材料、掺杂的SrZrO3、铁电材料PbZrTiO3、铁磁材料PivxCaxMnO3、二元金属氧化物材料、以及有机材料等。电阻型存储器(Resistive Memory)是通过电信号的作用、使存储介质在高电阻状态(High Resistance State, HRS)和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻型存储器，包括上电极、下电极、以及置于上电极和下电极之间的存储介质层；其特征在于，所述存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层；所述第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于所述第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，所述金属氮氧化物层通过基于所述第一金属材料的金属氮化物层在接触所述第二金属材料的金属氧化物的界面处被部分地氧化形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，刘易，宋雅丽，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：