一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法技术

本发明专利技术一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法，其中，包括以下工艺步骤：利用金属硅化物工艺将多晶硅圆柱体结构的外围进行金属化，然后去除金属硅化物层内径中未被金属化的多晶硅部分从而得到环状的金属硅化物硬掩膜，最后利用这种硬掩膜刻蚀磁通道结薄膜层，得到应用于磁阻存储器的具有精细尺寸的环状存储单元。通过使用本发明专利技术一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法，有效地可以在不使用高分辨率曝光设备的条件下实现具有精细尺寸的环状磁通道结结构的制造，同时不必须采用高端的光刻机，这样做将会减少生产成本，增加产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS半导体器件工艺，尤其涉及。
技术介绍
磁阻随机访问存储器是一种非挥发性的存储器件，在读写速度上具有和静态随机访问存储器可比拟的特性，而且在存储密度上与静态随机访问存储器类似，更具吸引力的特点是它几乎不存在因为器件退化而产生的可靠性方面的问题。各方面的优势使之被称为一种全能存储器，具有全面替代目前应用的静/动态随机访问存储器以及闪存的能力。与静/动态随机访问存储器或者闪存的原理不同，磁阻随机访问存储器不是利用电荷的保存和释放来存储信息，而是通过磁性存储单元来实现信息存储的。如图IA所示，磁性存储单元由两个铁磁性的平板I电极组成，中间由一层绝缘的薄膜2隔开，这种三明治 的结构称为磁通道结3。在磁通道结的两个磁性电极中，一个具有固定的磁场方向，称为固定层5，另一个磁性电极其磁场方向不是固定的，可以随着外界磁场的变化而改变，称为自由层4。当自由层的磁场方向与固定层一致时，整个磁通道结的电阻会变得很小，在外加电压的作用下流过磁性通道结的电流就会很大。反之，当自由层的磁场方向与固定层刚好相反时，整个磁性通道结的电阻会变得很大，流过磁性通道结的电流就会很小。利用这种电流大小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤一，在衬底上沉积磁通道结薄膜层，在所述磁通道结薄膜层上表面沉积多晶硅，在多晶硅上表面覆盖光阻层，所述光阻层呈圆形；步骤二，对多晶硅进行刻蚀，直至磁通道结薄膜层上表面停止刻蚀，使未被所述光阻层所覆盖的所述多晶硅部分完全被刻蚀掉，移除所述光阻层；步骤三，对所述磁通道结薄膜层上表面以及被刻蚀后的所述多晶硅外表面覆盖一层金属层，接着对所述金属层进行部分刻蚀，保留环绕所述多晶硅侧壁的金属层；步骤四，对所述多晶硅侧壁外侧的所述金属层使用退火工艺，使所述金属层向呈圆柱状的所述多晶硅中心扩散，所述金属层与向所述多晶硅中心扩散的部分形成金属...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗飞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：