富含锗的GST-212相变存储器材料制造技术

本发明专利技术是关于一种相变材料，包括GexSbyTez，其中Ge(锗)的原子浓度x介于30％～65％的范围之间，Sb(锑)的原子浓度y介于13％～27％的范围之间，以及Te(碲)的原子浓度z介于20％～45％的范围之间。此材料的富含锗族也描述于此。一种包括此材料、适于整合电路的存储器装置也描述于此。该GST-212族的相变存储器材料具有比GST-225相变存储器材料较高的结晶温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于基于相变存储器材料的高密度存储器装置。
技术介绍
相变存储器材料如硫族元素化合物材料以及相似的材料，可以在非结晶形状态与结晶形状态间，通过施加适于在整合电路中实施的电流而导致相变。通常非结晶形状态的特征在于比通常结晶形状态较高的电阻，可以稳定地被感应以指出数据。这些特性在使用可编程的阻抗性材料形成不易变的存储器电路产生影响，该不易变的存储器电路可随机存取读写。通常一个较低电流的操作可以从非结晶形改变至结晶形状态。而从结晶形改变至非结晶形，在此指复位，通常是一个较高电流的操作，包括一个短暂高电流密度的脉冲以熔解或破坏结晶结构，之后相变材料快速冷却，冷却相变过程，使得至少相变材料的一部分在·非结晶形状态中稳定。在相变存储器中，数据是通过导致在非结晶形与结晶形状态间相变材料的活性区域的转变而存储。低电阻结晶设定状态的最高电阻R1与高电阻非结晶复位状态的最低电阻R2之间的不同定义出用来从非结晶复位状态中区分出结晶设定状态的单元的读值限度。存储于存储器单元的数据可由决定是否存储器单元具有对应于低电阻状态或高电阻状态的一电阻来决定，例如通过测量是否该存储器单元的电阻在读值限度内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变材料，包括GexSbyTez，其中Ge的原子浓度x介于30％～65％的范围之间，Sb的原子浓度y介于13％～27％的范围之间，以及Te的原子浓度z介于20％～45％的范围之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑怀瑜，龙翔澜，施彦豪，西蒙·拉梧，马修·J·布雷杜斯克，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，国际商用机器公司，
类型：发明
国别省市：