一种阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法，可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极。半导体型氧化物可以是半导体型金属氧化物或者半导体型非金属氧化物。本发明专利技术通过在半导体型氧化物和金属电极间形成的肖特基势垒可以有效降低Sneak电流，并且制作工艺简单，可实现器件的高集成度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发存储器(Nonvolatilememory)
，具体涉及一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
固态存储器件在现代信息社会中扮演着非常重要的角色，我们日常使用的电子产品中大都有它的存在。现有的存储器主要为DRAM和FLASH，随着半导体工业的不断发展，器件尺寸不断地缩小，存储器将会缩小到它的物理极限，特别是进入到22nm技术节点以后，已不能满足存储发展的需求。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、可高密度集成、制备温度低、与CMOS后端兼容、高速度操作、低功耗等优点而成为下一代存储器强有力的竞争着。对于RRAM的高密度存储，人们倾向于使用交叉阵列结构集成，以使得阻变存储器的超高密·度三维存储能够实现。传统的交叉阵列结构如图I所示，是由M个相互平行的下电极13 (位线)和N个相互平行的上电极11 (字线)垂直交叉而形成，每个相互交叉处都是一个RRAM存储单元12。图2为现有技术中RRAM存储单元的结构示意图，包括金属上电极21、阻变材料22和金属下电极23。其工作原理为初始状态下，阻变材料呈高阻态。当两极板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻变存储单元，其特征在于，包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极。

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储单元，其特征在于，包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极。2.如权利要求I所述的阻变存储单元，其特征在于所述半导体型氧化物是半导体型金属氧化物或者半导体型非金属氧化物。3.如权利要求I所述的阻变存储单元，其特征在于所述阻变材料层是具有阻变特性的过渡金属氧化物、钙钛矿氧化物、稀有金属氧化物或者铁磁材料。4.如权利要求I所述的阻变存储单元，其特征在于所述电极是金属电极或者多晶硅电极。5.如权利要求I所述的阻变存储单元，其特征在于所述上电极是氮化钛，下电极是钼。6.一种阻变存储器，其特征在于，包括多个如权利要求I至5任一项所述的阻变存储单J Li ο7.一种阻变存储单元的制备方法，其步骤包括 1)制备衬底； 2)在所述衬底表面淀积金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄如，黄英龙，蔡一茂，王阳元，余牧溪，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：