一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用制造技术

本发明专利技术涉及微电子技术领域，具体涉及一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用。本发明专利技术的Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb80Te20薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb80Te20薄膜的厚度为2～16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6～20nm，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60～200nm。本发明专利技术材料与传统的相变薄膜材料相比，具有较快的晶化速度，较好的数据保持能力，并且本发明专利技术的材料在相变前后高低电阻之比达到三个数量级以上，保证了在相应相变存储器中足够的开关比，在相变存储器领域具有较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
，具体涉及一种Sb8Je2tZSbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用。
技术介绍
相变存储器(Phase Change Memory，PCM)作为一种新兴的非挥发存储技术，其具有循环寿命长(>1013次)、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、耐高低温(-55—125°C)、抗振动、以及与现有集成电路工艺相兼容等优点(S. Lai and T. LowreyiIEDMTech. Dig.，2000, p. 243)，被国际半导体工业协会认为是最有可能取代目前的闪存而成为未来存储器主流产品和最先成为商用产品的下一代半导体存储器件。PCM是利用电流产生的焦耳热量可逆改变薄膜电阻进行编程，薄膜在高阻值时为非晶态，在低阻值时为晶态，高低电阻值分别对应着逻辑数据的“O”和“I”(S.W.Ryu等，Applied Physics Letters, 92, 142110, 2008)。相变存储器的操作速度主要受限于薄膜的晶化过程，因此加快薄膜的相变速度才能提高相变存储器的操作速度。由于生长占主导的结晶过程，Sb-Te合金材料具有比传统的Ge2Sb2Te5相变材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb80Te20薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb80Te20薄膜的厚度为2～16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6～20nm，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60～200nm。

【技术特征摘要】
1.一种Sb8tlTe2cZSbSe纳米复合多层相变薄膜，所述Sb8tlTe2cZSbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb8Je2tl薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb8Je2tl薄膜的厚度为2 16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6 20nm，所述Sb8Je2(l/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60 200nm。2.如权利要求I所述Sb8(lTe2(l/SbSe纳米复合多层相变薄膜,其特征在于,所述Sb8Je2tl/SbSe纳米复合多层相变薄膜的化学组成为[Sb8Je2tl (a)/SbSe (b)]x (N)，其中，a、b分别表示单层Sb8tlTe2tl薄膜和单层SbSe薄膜的厚度,2彡a彡16nm, 6彡b彡20nm ；N为所述Sb8tlTe20/SbSe纳米复合多层相变薄膜材料的厚度，60彡N彡200nm ；x为Sb8(lTe2(l/SbSe复合膜的周期数，X为正整数并且X=N/(a+b)。3.如权利要求2所述Sb8(lTe2(l/SbSe纳米复合多层相变薄膜,其特征在于,所述Sb8Je2tl/SbSe纳米复合多层相变薄膜中a < O. 8b。4.如权利要求3所述Sb8(lTe2(l/SbSe纳米复合多层相变薄膜,其特征在于,所述Sb8...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈波，孙明成，翟继卫，胡益丰，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：