【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于WOx阻变存储器的写电路，其特征在于，阻变单元的上电极经过列译码与写电压切换模块中的第一切换电路相连，所述阻变单元的源极直接与所述写电压切换模块中的第二切换电路相连，其中，所述第一切换电路包括四条切换支路，对应的电压值分别为单极性置位操作电压、单极性复位操作电压，0V和双极性置位操作电压，其中，所述第二切换电路包括两条切换支路，对应的电压值分别为0V和双极性负位操作电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：于杰，吴明昊，焦斌，吴华强，邓宁，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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