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本发明提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法，可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极。半导体型氧化物可以...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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