阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明专利技术还公开了阻变存储器的制备方法。本发明专利技术所提供的阻变存储器及其制备方法，可以有效地缩小电极的作用面积，同时，可以以制作微米级存储器的成本来实现纳米级存储器的效果，简化了存储器的制作工艺、同时节约了制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体来说，涉及半导体阻变存储器及其制造方法，更具体而言，涉及一种具有微电极的。
技术介绍
随着信息技术飞速的发展，半导体存储器已经成为各种电子设备系统不可缺少的组成部分。目前，市场上的存储器有一部分是基于混合其他物质(如硼，磷)的多晶硅栅做浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)的浮栅闪存(Floating Gate FlashMemory)ο但是闪存在最近二十年发展迅猛，闪存单元尺寸急剧缩小，闪存在等比例缩小方面面临巨大挑战，特别是进入45nm技术节点以后，闪存单元之间的距离缩小，导致单元之间的干扰加重，对存储器的可靠性带来严重影响。 相比之下，阻变存储器以其稳定性好，可靠性强，结构简单，CMOS工艺兼容等特点，越来越被广泛应用。阻变存储器是一种通过外加不同极性、大小的电压，改变阻变材料的电阻大小从而存储数据的新型存储器件。结构上主要由上电极，阻变材料和下电极组成。为了适应越来越高的要求，希望阻变存储器的操作电流，尤其是从低阻到高阻的操作电流(reset操作)越小越好。现有的阻变存储器结构一般为MIM (金属电极-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻变存储器，其特征在于，包括上电极（1）、阻变材料（2）和下电极（3），所述阻变材料（2）位于下电极（3）之上，所述上电极(1）嵌入在阻变材料(2)之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡一茂，毛俊，武慧薇，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：