顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述顶栅型有机薄膜晶体管包括：基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。本发明专利技术公开的电子装置中设置有上述顶栅型有机薄膜晶体管。因此，本发明专利技术能够实现优良的器件特性和低的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和设置有该顶栅型有机薄膜晶体管的电子装置。
技术介绍
近年来，使用有机半导体层作为活性层的薄膜晶体管，即所谓的有机薄膜晶体管已备受关注。因为在有机薄膜晶体管中作为活性层的有机半导体层可以在相对较低的温度下通过薄膜涂敷的方法来形成，这有利于减少生产成本，也能使该有机半导体层形成在由塑料等制成的挠性的、低热阻的基板上。另外，不仅仅是对于活性层，还对于栅极绝缘膜、源/漏极电极以及栅极电极，图形化形成过程可以通过使用涂敷剂材料利用印刷方法来实现，因而可以进一步降低生产成本，并使得可以使用较大尺寸的基板。在以上提到的有机薄膜晶体管中，为了改进晶体管的特性，使用能够与有机半导体层形成良好欧姆接触的源/漏极电极是重要的。作为无机材料中适合于形成这样的源/漏极电极的材料，例如金(Au)、钼(Pt)和钯(Pd)已经被使用，已知这些材料能够与P型有机半导体产生令人满意的欧姆接触。另外，已经报导了对以下有机材料的使用聚乙烯二氧噻吩(poly-ethylenedioxythiophene)和聚苯乙烯横酸(polystyrene sulphonic acid)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶栅型有机薄膜晶体管，其包括：基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野本和正，米屋伸英，大江贵裕，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：