一种有机双极型场效应晶体管及其制备方法技术

一种有机双极型场效应晶体管，为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V2O5修饰层的底栅中间接触结构，由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V2O5修饰层、Al源、Al漏电极和N型有机半导体层组成并依次叠加；其制备方法为：在玻璃衬底氧化铟锡栅电极上，甩膜旋涂绝缘层，在绝缘层上蒸镀P型有机半导体层，再利用掩膜板先后蒸镀V2O5修饰层和金属源、漏电极，最后在复合电极上蒸镀N型有机半导体层。本发明专利技术的优点：该结构器件可减小源、漏电极与P型有机半导体层之间的接触势垒，提高空穴的注入能力，实现良好平衡的双极型电流输出特性，是制备低成本、高性能的双极型有机场效应管较为简单适用的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电子器件制备，特别是一种有机双极型场效应晶体管的构型和制备方法。
技术介绍
有机场效应晶体管(0FET)，因其良好的柔韧性、制造工艺简单、适合低温、低成本和大面积集成及在电子信息领域的巨大应用潜力而受到广泛关注。近年来随着单极型OFET发展到非晶硅器件的水平，实际的应用研究被提到了日程。OFET的重要应用领域之一是集成电路，而构筑闻效的有机集成电路、闻噪声容限、低功耗的互补电路是不可缺少的技术。这就需要OFET在双极型的模式下工作，即在单一器件中同时存在电子和空穴沟道。因而双极型有机场效应晶体管(AOFET)成为有机电子器件领域的研究热点。AOFET器件结构主要分为单层双极性材料、混合体异质结和双层异质结三种。其中双层异质结的AOFET由于可以方便有效的将高迁移率的P型和N型材料结合于同一晶体管而且有利于成膜的有序度，是实现制备高性能AOFET的重要方法。然而，虽然这种结构的AOFET研究取得了很大的进展，但与同种材料单极型器件相比，性能还低很多，两种载流子的注入也不平衡，很大程度上限制了其实际应用。金属源、漏极与有机材料之间的接触问题是影响AOFET器件性能提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机双极型场效应晶体管，其特征在于：为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V2O5修饰层的底栅中间接触结构，由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V2O5修饰层、Al源、Al漏电极和N型有机半导体层组成并依次叠加，其中N型有机半导体层截面呈T型并分别与Al源、Al漏电极、V2O5修饰层和P型有机半导体层接触；所述衬底为玻璃；所述栅电极为氧化铟锡（ITO），电阻为10Ω/□，厚度为0.7cm；所述电介质绝缘层为有机物PMMA,Mw为996，000，厚度为390nm；所述P型有机半导体层为并五苯（Pentacene），纯度为99.99%，厚度为20nm；所述修饰层为过渡金属氧化...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程晓曼，赵庚，田海军，吴仁磊，郑宏，杜博群，梁晓宇，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：