半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置，该半导体元件包括：有机半导体层；电极，其配置在有机半导体层上，以与有机半导体层接触；以及布线层，其独立于电极而形成，并电连接至该电极。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及具有有机半导体层的半导体元件、其制造方法和包括这种半导体元件的显示装置和电子装置。
技术介绍
近年来正在研制诸如有机TFT (薄膜晶体管)等的使用有机半导体的半导体兀件(例如，参见 C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv.Mater. 2002，14，No. 2，p. 99)。使用有机半导体的半导体元件被设想用于诸如柔性有机EL(电致发光)显示器、柔性电子纸等的显示装置以及诸如柔性印刷电路板、有机薄膜太阳能电池、触控面板等的电子装置
技术实现思路
如上所述，当在使用有机半导体的半导体元件中的有机半导体层上形成电极(例如，源电极和漏电极)和布线(wiring)层时，例如，在有机半导体层的端部(半导体岛的边缘部分)附近可能发生布线层的断裂。此外，当在电极上形成有机半导体层时，有机半导体层与电极之间的接触电阻或布线电阻可能增大。这种布线层的断裂以及这种电阻值的增加均为制造缺陷因素。因此，需要提出一种用于提高可靠性的方法。本公开鉴于上述问题而提出。期望提供一种能够提高可靠性的半导体元件、其制造方法以及显示装置和电子装置。根据本公开实施方式的半导体元件包括有机半导体层；电极，其配置为与有机半导体层接触；以及布线层，其独立于电极而形成并电连接至电极。根据本公开实施方式的显示装置包括根据本公开上述实施方式的半导体元件和显示层。根据本公开实施方式的电子装置包括根据本公开上述实施方式的显示装置。在根据本公开上述实施方式的半导体元件、显示装置和电子装置中，配置为与有机半导体层接触的电极与电连接至电极的布线层彼此独立形成。与电极和布线层彼此整体形成的情况相比，例如，这可防止布线层在有机半导体层的端部(半导体岛的边缘部分)附近轻易发生断裂，并在抑制有机半导体层与电极之间的接触电阻的同时，减小了布线电阻。一种用于制造根据本公开实施方式的半导体元件的方法，包括形成有机半导体层和与有机半导体层接触的电极；以及形成电连接至电极的布线层。在根据本公开上述实施方式的用于制造半导体元件的方法中，形成与有机半导体层接触的电极，以及形成电连接至电极的布线层。与电极和布线层彼此整体(在同一工艺中)形成的情况相比，例如，这可防止布线层在有机半导体层的端部(半导体岛的边缘部分)附近轻易发生断裂，并在抑制有机半导体层与电极之间的接触电阻的同时，减小了布线电阻。根据基于本公开上述实施方式的半导体元件、显示装置和电子装置，配置在有机半导体层上从而与有机半导体层接触的电极和电连接至电极的布线层彼此单独形成。从而，例如能够防止布线层在有机半导体层的端部附近轻易发生断裂，并在抑制接触电阻的同时，减小了布线电阻。因此，能提高可靠性。根据基于本公开上述实施方式的用于制造半导体元件的方法，将电极形成在有机半导体层上从而与有机半导体层接触，以及其后形成电连接至电极的布线层。从而，例如能够防止布线层在有机半导体层的端部附近轻易发生断裂，并在抑制接触电阻的同时，减小了布线电阻。因此，能提高可靠性。附图说明图IA和图IB是示出作为根据本公开第一实施方式的半导体元件的薄膜晶体管结构的一个实例的示意图； 图2A、图2B、图2C和图2D是辅助说明源-漏电极中的对准偏移容纳区(alignmentdisplacement accommodating region)的不意图；图3A、图3B和图3C是辅助说明有机半导体层、源-漏电极和保护膜的配置和形状的不意图；图4A和图4B是辅助说明图3A和图3B所示的凸出部分和凹进部分的细节的示意图；图5是根据第一实施方式的薄膜晶体管结构的另一实例的截面图；图6A、图6B、图6C、图6D和图6E是按工艺顺序示出用于制造根据第一实施方式的薄膜晶体管的方法的平面图；图7A和图7B是辅助说明根据第二和第三对比实例的薄膜晶体管中的问题的示意图；图8A、图SB和图SC是辅助说明栅电极、栅极绝缘膜、有机半导体层、源-漏电极与保护膜之间的配置关系的示意图；图9是辅助说明栅电极与有机半导体层之间的配置关系的示意图；图10A、图10B、图10C、图10D、图IOE和图IOF是示出根据第二实施方式的薄膜晶体管结构的一个实例和按工艺顺序示出用于制造根据第二实施方式的薄膜晶体管的方法的平面图；图11A、图11B、图11C、图IlD和图IlE是示出根据第三实施方式的薄膜晶体管结构的一个实例和按工艺顺序示出用于制造根据第三实施方式的薄膜晶体管的方法的平面图；图12A、图12B、图12C、图12D和图12E是示出根据第四实施方式的薄膜晶体管结构的一个实例和按工艺顺序示出用于制造根据第四实施方式的薄膜晶体管的方法的平面图；图13A和图13B是示出根据第五实施方式的薄膜晶体管结构的一个实例的示意图；图14A至图14J是按工艺顺序示出制造根据第五实施方式的薄膜晶体管的方法的平面图；图15A和图15B是辅助说明堤层(bank)的形成位置与源-漏电极的形状之间的关系的平面图；图16A至图16F是按工艺顺序示出制造根据第一变形例的薄膜晶体管的方法的平面图；图17A至图17E是按工艺顺序示出制造根据第二变形例的薄膜晶体管的方法的平面图；图18A、图18B和图18C是辅助说明根据第三变形例的堤层结构和使用该堤层形成源-漏电极的方法的平面图；图19A和图19B是辅助说明堤层的形状和源-漏电极与布线层之间的接触之间的关系的截面图；图20是示出根据第六实施方式的薄膜晶体管结构的一个实例的截面图； 图21A、图21B、图21C和图21D是按工艺顺序示出制造根据第六实施方式的薄膜晶体管的方法的平面图；图22A和图22B是根据第四和第五对比实例的薄膜晶体管结构的截面图；图23A和图23B是示出将根据各实施方式和各变形例的薄膜晶体管应用于显示装置的一个实例的示意图；图24A和图24B是将图23A和图23B所示的显示装置应用于电子装置的第一实例的外观透视图；图25是第二应用实例的外观透视图；图26A是从前侧观看的第三应用实例的外观透视图，以及图26B是从后侧观看的第三应用实例的外观透视图；图27是第四应用实例的外观透视图；图28是第五应用实例的外观透视图；以及图29A是打开状态的第六应用实例的前视图，图29B是打开状态的第六应用实例的侧视图；图29(是闭合状态的第六应用实例的前视图，图29D是闭合状态的第六应用实例的左侧视图，图29E是闭合状态的第六应用实例的右侧视图，图29F是闭合状态的第六应用实例的顶视图，以及图29G是闭合状态的第六应用实例的底视图。具体实施例方式下文将参照附图详细描述本公开的优选实施方式。顺便提及，将按照以下顺序进行描述。I.第一实施方式(源-漏电极的印刷形成和布线层的真空成膜的实例)2.第二实施方式(源-漏电极和布线层的印刷形成的实例)3.第三实施方式(源-漏电极的真空成膜和布线层的印刷形成的实例)4.第四实施方式(源-漏电极和布线层的真空成膜的实例)5.第五实施方式(通过使用堤层形成源-漏电极的实例)6.第五实施方式的变形例(第一至第三变形例)7.第六实施方式(底接触型实例)8.应用实例(应用于显示装置和电子装置的实例)9.其它变形例<第一实施方式>图IA和图IB示意性示出了根据本公开第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，包括：有机半导体层；电极，其配置在所述有机半导体层上，以与所述有机半导体层接触；以及布线层，其独立于所述电极而形成，并电连接至所述电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小野秀树，秋山龙人，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：