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一种形成底部电极和相变电阻的方法,包括:提供基底;在基底上形成具有底部电极的第一介质层,底部电极的表面与第一介质层的表面相平;在底部电极上依次形成中间层和帽层,覆盖底部电极;以帽层为掩膜对中间层进行离子注入,在中间层形成具有掺杂离子的外侧部...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种形成底部电极和相变电阻的方法,包括:提供基底;在基底上形成具有底部电极的第一介质层,底部电极的表面与第一介质层的表面相平;在底部电极上依次形成中间层和帽层,覆盖底部电极;以帽层为掩膜对中间层进行离子注入,在中间层形成具有掺杂离子的外侧部...