相变存储器的制造方法技术

一种相变存储器的制造方法，包括：提供半导体基底，包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；在所述外延层形成第一硬掩膜层图形；形成覆盖所述第一硬掩膜层图形的介质层；在所述介质层表面形成第二硬掩膜图形；以所述第二硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层、阱区及衬底，形成深沟槽；接着去除所述介质层，暴露出所述第一硬掩膜层图形；所述第一硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层，形成浅沟槽；对所述浅沟槽和深沟槽进行填充，形成浅沟槽隔离区和深沟槽隔离区。本发明专利技术提高深沟槽刻蚀和浅沟槽刻蚀的工艺处理空间，并且易于形成最佳密度的字线和位线的密度排布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
相变存储器(PhaseChange Random Access Memory, PCRAM)作为一种新兴的非易失性存储技术，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面对快闪存储器都具有较大的 优越性。美国专利US6531373公开了一种相变存储器结构。如图I所示为相变存储器的结构示意图，所述相变存储器位于由X轴、Y轴、Z轴两两正交形成的空间内。具体地，所述相变存储器包括衬底001，所述衬底001表面形成有若干数目的字线105，所述若干数目的字线105沿X轴方向进行排布，字线和与其相邻的字线之间通过绝缘材料进行电隔离。每条字线105均沿Y轴方向进行延伸。其中沿Z轴方向上，所述每条字线105表面均形成有若干数目的存储单元101，且所述若干数目的存储单元101按阵列排布，每个所述存储单元101包含有串联连接的相变电阻102与选通二极管103。继续参考图1，位于所述存储单元101表面形成有位线104，所述位线104沿Y轴方向进行排布。且每条位线104沿X轴延伸，将位于不同字线105的存储单元101本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底至少包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；在所述外延层表面形成第一硬掩膜层图形，所述第一硬掩膜层图形与后续形成的浅沟槽的图形对应；形成覆盖所述第一硬掩膜层图形的介质层，且所述介质层具有平坦的表面；在所述介质层表面形成第二硬掩膜层图形，所述第二硬掩膜层图形与后续形成的深沟槽的图形对应；以所述第二硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层、阱区及衬底，形成深沟槽；接着去除所述介质层，暴露出所述第一硬掩膜层图形；以所述第一硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层，形成浅沟槽；对所述浅沟槽和深沟槽进行填充，形成浅沟槽隔离区和深沟槽隔离区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何其旸，张翼英，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：