一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器领域，特别是涉及一种相变存储材料、其制备方法及基于该相变存储材料的相变存储单元。
技术介绍
在半导体市场中，存储器(例如DRAM和FLASH)占有重要席位，随着便携式电子设备的逐步普及，非挥发性存储器的市场将会不断扩大，消费者们对存储器容量、速度等各方面的要求也会逐渐升高，而作为非挥发性存储器的主流存储器，FLASH技术的发展已经达到瓶颈，随着集成电路的不断发展，FLASH的技术弱点开始变得突出。写入速度慢，写入电压高、循环次数有限等缺点直接限制了其进一步应用。所以急需要一种新的存储技术来代替，使得存储技术能都继续稳步地朝着小尺寸方向发展。 相变存储器(PC-RAM)是近年来兴起的一种非挥发半导体存储器，它利用相变复合材料作为存储介质来实现数据存储，具有广阔的应用前景，是目前存储器研究的一个热点，被认为最有希望成为下一代主流存储器。它与目前已有的多种半导体存储技术相比，具有低功耗，高密度、抗辐照、非易失性、高速读取、循环寿命长(>1013次)、器件尺寸可缩性(纳米级)，耐高低温(_55°C至125°C)、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单(能和现有的集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TiSbTe相变存储材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：通入惰性气体和掺杂源，按照化学通式Ti1?x?ySbxTey中Sb和Te的配比采用SbxTey合金靶以及Ti靶共溅射，获得经掺杂的TiSbTe相变存储材料，其中，0

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴良才，朱敏，纪兴龙，宋志棠，饶峰，封松林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：