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互补型阻变存储器及制备方法技术

技术编号:8367460 阅读:238 留言:0更新日期:2013-02-28 07:04
本发明专利技术公开了一种互补型阻变存储器及制备方法。该存储器,由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。其中,二氧化钛纳米存储介质层和氮氧化钛氧存储层是通过将氮化钛薄膜进行等离子体氧化的方法制备。通过电激励使氧空位在纳米存储介质层的上、下两个界面间分布,实现互补型阻变功能。本发明专利技术提供的存储器,有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的串扰问题,具有制备方法简单、成本低等特点,用于开发高存储密度、低功耗、纳米尺度非易失性阻变存储器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种互补型阻变存储器,由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:潘峰唐光盛曾飞陈超刘宏燕宋成
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:

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