具有并行电路径的存储器单元制造技术

一种具有并行电路径的平面相变存储器单元。该存储器单元包括第一导电电极区，第一导电电极区的长度大于其宽度，并具有与该长度对准的轴。该存储器单元还包括第二导电电极区，第二导电电极区具有与该第一导电电极区的该轴成一角度的边缘。该存储器单元另包括绝缘体区，其在该第一导电电极区的末端与该第二导电电极区的该边缘之间提供横向分隔距离，该绝缘体区包括绝缘体膜的至少一部分，并且该横向分隔距离根据该绝缘体膜的厚度而定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及计算机存储器，尤其涉及相变存储器(phasechange memory,PCM)。
技术介绍
PCM为电阻式非易失性计算机随机存取存储器(random-accessmemory, RAM)形式，利用改变装置制造时的状态来储存数据。相变材料可操纵成为二或更多个不同相位(phase)或状态(state)，每一相位都代表不同的数据值。一般来说，每一相位都展现不同的电气特性(electrical property)(或不同的电阻值)。因为非晶 与结晶(或多晶)相位具有可检测的电阻差异，所以这两者通常为二进制数据储存(I与O)所使用的两个相位。尤其是，非晶相位的电阻高于结晶相位。硫族化合物(chalcogenide)为常用作相变材料的材料族群,此材料族群包括硫族元素(chalcogen)(周期表族群16/VIA)以及其他元素。硒(Se)与碲(Te)为制造PCM存储器单元(memory cell)时,族群内用于生产硫族化合物半导体最常见的两种元素,范例有 Ge2Sb2Te5 (错铺締(germanium-antimony-telIurium)或 “GST”)、SbTe3 和 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·P·卡里迪斯，M·M·弗兰西斯奇尼，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：