相变存储器的制造方法技术

一种相变存储器的制造方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底至少包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；图案化刻蚀所述阱区、外延层，形成深沟槽；依次采用第一填充层及第二填充层对所述深沟槽进行填充，形成深沟槽隔离区，所述第二填充层位于所述第一填充层表面；还包括对所述第一填充层表面进行处理，形成位于所述第一填充层表面的阻挡层。本发明专利技术通过采用第一填充物和第二填充物对深沟槽进行填充形成深沟槽隔离区，并对所述第一填充物进行处理工艺形成阻挡层，通过所述阻挡层可避免第一填充物暴露在后续刻蚀环境中，可以减小后续残余的第二填充层厚度或不需要保留残余的第二填充层，进一步提高深沟槽和浅沟槽的工艺处理空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
相变存储器(PhaseChange Random Access Memory, PCRAM)作为一种新兴的非易失性存储技术，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面对快闪存储器都具有较大的优越性。美国专利US6531373公开了一种相变存储器结构。如图I所示为相变存储器的结 构示意图，所述相变存储器位于由X轴、Y轴、Z轴两两正交形成的空间内。具体地，所述相变存储器包括衬底001，所述衬底001表面形成有若干数目的字线105，所述若干数目的字线105沿X轴方向进行排布，字线和与其相邻的字线之间通过绝缘材料进行电隔离。每条字线105均沿Y轴方向进行延伸。其中沿Z轴方向上，所述每条字线105表面均形成有若干数目的存储单元101，且所述若干数目的存储单元101按阵列排布，每个所述存储单元101包含有串联连接的相变电阻102与选通二极管103。继续参考图1，位于所述存储单元101表面形成有位线104，所述位线104沿Y轴方向进行排布。且每条位线104沿X轴延伸，将位于不同字线105的存储单元101本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底至少包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；图案化刻蚀所述阱区、外延层，形成深沟槽；依次采用第一填充层及第二填充层对所述深沟槽进行填充，形成深沟槽隔离区，所述第二填充层位于所述第一填充层表面；其中，采用第二填充层填充深沟槽前，还包括对所述第一填充层表面进行处理，形成位于所述第一填充层表面的阻挡层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何其旸，张翼英，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：