一种相变存储器形成方法技术

一种相变存储器形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一底部电极，以及依次形成在所述第一底部电极表面的第一介质层、第二介质层、第三介质层；刻蚀所述第三介质层，形成暴露所述第二介质层的第四开口；在所述第四开口的侧壁形成第四介质层，所述第四介质层具有凹槽；沿所述凹槽刻蚀所述第二介质层，直至暴露所述第一介质层，形成第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述第一介质层，形成暴露第一底部电极的通孔，所述刻蚀工艺对所述第一介质层、第三介质层、第四介质层具有相同的刻蚀选择比；形成填充满所述通孔的第二底部电极。通过本发明专利技术可以提高相变存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及。
技术介绍
相变存储器作为一种新兴的非易失性存储技术，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面对快闪存储器FLASH都具有较大的优越性，成为目前非易挥发性存储技术研究的焦点。相变存储技术的不断进步使之成为未来非易挥发性存储技术市场主流产品最有力的竞争者之图I是现有的相变存储器的结构示意图，包括形成于衬底100表面的晶体管，所述晶体管包括源极102、漏极102以及由栅介质层和栅电极层组成的栅极结构106 ;还包括形成于晶体管源极102或漏极102表面的底部电极130 ;形成在所述底部电极130表面的 相变材料层140，以及形成在所述相变材料层140表面的顶部电极(未示出)。具体地，当电流流经相变存储器时，所产生的焦耳热对相变材料层140进行加热，相变材料层140的材料就会从第一状态(例如非晶态)转变为第二状态(例如结晶态)；状态之间的转变可以因受热不同而选择性地可逆。相变材料层140的材料的两个稳定状态中的任一个都能被指定为逻辑I而另一个被指定为逻辑O。在公开号为US2006138393A1的美国专利中就提供了一种采用含锗前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一底部电极，以及依次形成在所述第一底部电极表面的第一介质层、第二介质层、覆盖介质层；依次刻蚀所述覆盖介质层，第二介质层，形成暴露所述第一介质层的第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述第一介质层，形成暴露第一底部电极的通孔，所述刻蚀工艺同时去除全部或者部分厚度的所述覆盖介质层；形成填充满所述通孔的导电层，并对所述导电层进行平坦化处理，直至暴露所述第一介质层，形成第二底部电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱南飞，吴关平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：