半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：基底；位于基底表面的多个第一导电层，多个第一导电层沿着第一方向排布，且第一导电层与第二方向平行，第一方向与第二方向垂直；位于基底表面的通孔结构，通孔结构的底部在第一方向上同时暴露出多个第一导电层的顶部表面且暴露出第一导电层的部分侧壁；位于第一导电层顶部表面和部分侧壁表面的导电结构，导电层结构的底部表面低于第一导电层的顶部表面；其中导电层结构的底部表面低于第一导电层的顶部表面，这种半导体器件增加了导电结构与第一导电层之间的接触面积，降低了导电结构与第一导电层之间的接触电阻，从而使得整个半导体器件的接触电阻得到降低，降低了半导体器件的功能消耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体制造技术越来越精密，集成电路也发生着重大的变革，集成在同一芯片上的元器件数量已从最初的几十、几百个增加到现在的数以百万个。为了达到电路密度的要求，半导体集成电路芯片的制作工艺利用批量处理技术，在衬底上形成各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。

2、一般讲，半导体器件包括许多电路，这些电路形成一个制造在一硅单晶基片上的集成电路，通常要给定一个复杂的信号路径网络以把分布在基片表面上的电路元件连接起来。这些信号沿着该器件的有效率的路径要求形成多级或多层互连结构，如象基于铜的双镶嵌布线结构。基于铜的互连，由于它能提供在一个复杂的半导体芯片上大量晶体管之间的高速信号传输，因而是可取的。

3、然而在后段工序(beol)互连工艺中，随着器件尺寸的缩小，用于互连结构的尺寸也在缩小，连接上下导电层的通孔的尺寸也减小，通孔的尺寸减少，形成在通孔内的导电插塞的体积减小以及尺寸效应会引起互连电阻增大，导致器件的功耗和电学性能下降的问题。

4本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述基底表面的介质层，所述介质层内具有多个接触孔，所述第一导电层位于所述接触孔内。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的刻蚀速率大于所述第一导电层的刻蚀速率。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述介质层上的层间介质层。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔结构包括位于所述层间介质层内的通孔和位于所述介质层内的凹槽，所述通孔的底部在所述第一方向上同时暴露出多个所述第一导电层的顶部表面和...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述基底表面的介质层，所述介质层内具有多个接触孔，所述第一导电层位于所述接触孔内。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的刻蚀速率大于所述第一导电层的刻蚀速率。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述介质层上的层间介质层。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔结构包括位于所述层间介质层内的通孔和位于所述介质层内的凹槽，所述通孔的底部在所述第一方向上同时暴露出多个所述第一导电层的顶部表面和所述凹槽的表面。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的深度小于100埃。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述导电结构包括位于所述通孔和所述凹槽内的导电插塞和位于所述导电插塞上的第二导电层，所述导电插塞的底部表面低于所述第一导电层的顶部表面。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电层与所述导电插塞相互平行。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电结构的材料为钨、钴、铜、铝和钌中的一种或者多种组合。

10.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴轶超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：