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一种相变存储器形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一底部电极，以及依次形成在所述第一底部电极表面的第一介质层、第二介质层、第三介质层；刻蚀所述第三介质层，形成暴露所述第二介质层的第四开口；在所述第四开口的侧壁形成第四介...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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