【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种电容器及其形成方法。
技术介绍
1、电容元件常在集成电路中用作电子无源器件。其中，金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,简称mim)电容器和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal,简称mom)电容器是常见的两种无源器件。mom电容器的制备工艺较mim电容器更简单、且成本较低，因此被广泛应用于模拟电路、混合信号集成电路等器件中。
2、mom电容器通常具有多个相互平行并呈梳状排列的金属线，同一层的多个金属线之间设置有电介质，因此，相邻的两个金属线和其中间的电介质形成了电容结构，mom电容器总的电容值由若干金属线和其中间电介质共同决定。
3、然而，在现有技术中，mom电容器的结构存在缺陷，从而导致mom电容器的电容的稳定性和准确性有待提升。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种电容器及其形成方法，减少了电容器的结构缺陷，提升了电容的稳定性和准确性。
2、为解决上述技术...
【技术保护点】
1.一种电容器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各所述第一电极相互平行。
3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各所述第二电极相互平行。
4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各所述第一电极的宽度相同。
5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各边缘区上的所述第二电极的数量范围为1～3。
6.如权利要求5所述的电容器，其特征在于，当各边缘区上的所述第二电极的数量大于1时，各第二电极的宽度不同，且靠近中心区的第二电极的宽度小于远离中心区的第二电极的宽度。
7....
【技术特征摘要】
1.一种电容器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各所述第一电极相互平行。
3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各所述第二电极相互平行。
4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各所述第一电极的宽度相同。
5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，各边缘区上的所述第二电极的数量范围为1～3。
6.如权利要求5所述的电容器，其特征在于，当各边缘区上的所述第二电极的数量大于1时，各第二电极的宽度不同，且靠近中心区的第二电极的宽度小于远离中心区的第二电极的宽度。
7.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极沿第一方向延伸，所述电互连层沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于第二方向。
8.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电互连层包括第一电连接结构和第二电连接结构，所述第一电连接结构和第二电连接结构分别位于所述中心区和边缘区的两侧，所述第一电连接结构与第二电连接结构相互平行。
9.如权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述第一电极包括第一极板结构和第二极板结构，各第一极板结构与第一电连接结构电连接，各第二极板结构与第二电连接结构电连...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴轶超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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