覆板太阳能电池制造技术

制造太阳能电池的方法包括：在衬底上方形成前接触层，前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过前接触层划割第一划片区以暴露一部分衬底；在前接触层和第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；以及在吸收层上方形成导电的后接触层。本发明专利技术提供一种覆板太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】

一般而言，本专利技术涉及太阳能电池，更具体而言，涉及覆板(superstrate)太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池包括p型掺杂的吸收层和n型掺杂的缓冲层。对于一些覆板太阳能电池，在形成缓冲层(例如，CdS)之后在高温下沉积吸收层。然而，在高温下沉积吸收层期间在缓冲层和吸收层之间存在元素的交叉扩散。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造太阳·能电池的方法，包括在衬底上方形成前接触层，其中所述前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过所述前接触层划割第一划片区以暴露一部分所述衬底；在所述前接触层和所述第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在所述缓冲层上方形成掺杂有P型掺杂剂的吸收层；以及在所述吸收层上方形成导电的后接触层。在上述方法中，其中，通过机械划片或者激光划片形成所述第一划片区。在上述方法中，进一步包括穿过所述吸收层和所述缓冲层划割第二划片区以暴露一部分所述前接触层。在上述方法中，进一步包括穿过所述吸收层和所述缓冲层划割第二划片区以暴露一部分所述前接触层，其中，用所述后接触层填充所述第二划片区。在上述方法中，进一步包括穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，包括：在衬底上方形成前接触层，其中所述前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过所述前接触层划割第一划片区以暴露一部分所述衬底；在所述前接触层和所述第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在所述缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；以及在所述吸收层上方形成导电的后接触层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李文钦，严文材，余良胜，邱永升，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：