相变化存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种相变化存储器及其制备方法，特别是精细节距相变化随机存取存储器(phase?change?random?access?memory，PCRAM)设计以及其制备方法。在一实施例中，一相变化存储器(phase?change?memory，PCM)单元包括一间隔物，上述间隔物定义了一矩形的反应区以及一配置于上述反应区中的相变化材料层。上述相变化存储器单元还包括一保护层配置于锗锑碲(germanium?antimony?tellurium，GST)薄膜层之上，以及配置于上述被间隔物所定义的区域之内，且一盖层配置于上述保护层以及上述间隔物之上。本发明专利技术能够缩减相变化存储器单元的实际反应区域的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
相变化存储器及其制备方法
本专利技术涉及一种相变化存储器，特别是涉及一种精细相变化随机存取存储器。
技术介绍
最近，替代的非易失性存储器装置，例如相变化随机存取存储器(phasechangerandomaccessmemory，PCRAM)装置、磁性随机存取存储器(magneticrandomaccessmemory，MRAM)装置、以及单元结构与动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)装置相似的铁电随机存取存储器(ferroelectricrandomaccessmemory，FRAM)已经被提出且正在发展中。相变化随机存取存储器(phasechangerandomaccessmemory，PCRAM)的存储器单元通常包括一相变化元件，此相变化元件包括一硫族化物合金，例如锗锑碲(germaniumantimonytellurium，Este或GST)，以及一结构，例如一晶体管或其他利用电流于相变化元件的装置。在一实施例中，上述晶体管的源极/漏极的其中之一可耦合至地线，另一个源极/漏极可耦合至相变化元件以及晶体管栅极耦合至一栅极电压。该相变化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变化存储器单元，包括：一间隔物，定义一反应区；一相变化材料层，配置于该反应区内；一保护层，配置于该相变化材料层之上以及配置于被该间隔物所定义的该反应区内；以及一盖层，配置于该保护层以及该间隔物之上。

【技术特征摘要】
2011.08.24 US 13/216,3691.一种相变化存储器单元，包括：一间隔物，定义一反应区；一停止层，沿着该间隔物的一外缘配置；一相变化材料层，配置于该反应区内；一保护层，配置于部分该相变化材料层之上以及配置于被该间隔物所定义的该反应区内；以及一盖层，配置于部分该相变化材料层、该保护层以及该间隔物之上并直接接触部分该相变化材料层的上表面、该保护层以及该间隔物，其中该盖层为SiN。2.如权利要求1所述的相变化存储器单元，还包括一电极，配置于该反应区的一末端之下。3.如权利要求1所述的相变化存储器单元，其中该间隔物包括SiN、SiO2、以及SiON中至少一种，且该间隔物的厚度范围介于4.如权利要求1所述的相变化存储器单元，其中该保护层包括SiN、以及SiO2中的一种，且该保护层的厚度范围介于以及该盖层的厚度范围介于5.一种相变化存储器装置的制备方法，其中该相变化存储器装置包括一层间介电层，该层间介电层具有电极配置于其相反两端，该相变化存储器装置的制备方法包括：利用一硬掩膜定义在该层间介电层的一顶面上的一第一区域；沿着该硬掩膜的一内缘以及该第一区域的一外缘制造一间隔物以定义一第二区域，其中该硬掩膜作为一停止层沿着该间隔物的一外缘配置；沉积一相变化材料层于该第二区域内；沉积一保护层于该相变化材料层之上；隔离该相变化材料层，其中该保护层不覆盖部分该相变化材料层；以及沉积一盖层于该装置之上以直接接触部分该相变化材料层的上表面、该保护层以及该间隔物，其中该盖层为SiN。6.如权利要求5所述的相变化存储器装置的制备方法，其中该定义包括：沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹淳凯，沈明辉，刘世昌，杜友伦，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：