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本发明公开一种相变化存储器及其制备方法，特别是精细节距相变化随机存取存储器(phase?change?random?access?memory，PCRAM)设计以及其制备方法。在一实施例中，一相变化存储器(phase?change?memo...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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