本发明公开了一种封装发光二极管(LED)的方法，所述方法包括将多个LED管芯与相应的在底板上的接合焊盘连接。具有容纳LED管芯的凹槽的模具装置被设置在底板的上方。底板、LED管芯和模具装置在热回焊工艺中受热，从而使LED管芯与接合焊盘接...

本发明涉及晶体管及其制造方法，以及降低随机电报信号(RTS)噪声的图像传感器电路。在一个实施例中，一种晶体管包括：设置工件中两个隔离区域之间的沟道。该沟道具有邻近隔离区域的边缘区域和在隔离区域之间的中心区域。该晶体管包括设置在沟道上方的...

本发明公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。示例性的半导体器件包括：衬底，该沉底包括设置在衬底上方的鳍结构。该鳍结构包括一个或多个鳍。半导体器件进一步包括设置在衬底上方的绝缘材料。半导体器件进一步包括设置在部分鳍结构以及部分绝缘...

一种设计集成电路的方法包括在第一标准单元中布置有源区域。至少一个栅电极被布线，与第一标准单元中的有源区域重叠。至少一个金属线结构被布线，与第一标准单元中的有源区域重叠。至少一个金属线结构基本上平行于栅电极。与第一标准单元中的至少一个金属...

本发明提供了一种ESD保护器件。该器件包括双极结型晶体管，该双极结型晶体管包括集电极、基极和发射极。集电极包括第一掺杂元件和在第一掺杂元件上设置的更重掺杂的第二掺杂元件。第一掺杂元件和第二掺杂元件分别具有第一掺杂极性。基极被设置为与集电...

一种工件，包括：第一含铜柱，该第一含铜柱具有顶面和侧壁；第一保护层，该第一保护层位于第一含铜柱的侧壁上而不位于第一含铜柱的顶面上方；测试焊盘，该测试焊盘包括第二含铜柱，该第二含铜柱具有顶面和侧壁，该测试焊盘电连接至第一含铜柱；以及第二保...

本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括形成在后钝化互连(PPI)线上并且被保护结构所包围的凸块结构。该保护结构包括聚合物层和至少一个介电层。介电层可形成为在聚合物层的顶面上，聚合物层的下方，插入到凸块结构和聚合物层之间，插入到PPI...

一种管芯包括衬底；位于衬底上方的金属焊盘部分；位于金属焊盘上方的钝化层；以及设置邻近于金属焊盘的伪图案，该伪图案与金属焊盘齐平，并且由与金属焊盘相同的材料形成，该伪图案形成包围至少三分之一金属焊盘的至少部分的环。本发明提供了管芯中的金属...

本发明公开了一种器件，包括：衬底、位于衬底上方的金属焊盘、以及一部分位于金属焊盘上方的钝化层。后钝化互连件(PPI)与金属焊盘电连接，其中，PPI的一部分位于金属焊盘和钝化层上方。聚合物层位于PPI上方。焊料球位于PPI上方。复合物的一...

本发明提供了用于提供后钝化开口和接触下金属化层的系统和方法。实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。通过以这种方式成型和对准穿过后钝化层的开...

本发明涉及的是一种封装结构上的封装件，该封装结构上的封装件通过在第一封装件和第二封装件之间引入刚性热连接件来改进导热性和机械强度。该第一封装件具有第一衬底和穿过第一衬底的通孔。第一组传导元件与第一衬底的通孔相对准并且与其相连接。刚性热连...

一种晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)，包括具有触点焊盘的有源表面和侧面的半导体器件。模件覆盖该半导体器件的侧面。RDL结构包括电连接至触点焊盘并在半导体器件的有源表面上延伸的第一PPI线。UBM层在第一PPI线上方形成并与之电连接。密...

公开了用于制造半导体器件的方法。应变材料形成在衬底的腔中并且与衬底中的隔离结构相邻。应变材料具有位于衬底表面上方的角部。所公开的方法提供了用于利用衬底腔中的增加部分形成与隔离结构相邻的应变材料的改进方法，以增强载流子迁移率并提升器件性能...

实施例为一种生产流程和可复用测试方法。该方法包括提供包括管芯区域的基板。管芯区域包括焊盘图案的多部分，并且该多部分中的第一部分均包括第一一致焊盘图案。该方法进一步包括通过第一探针板探测第一部分中的第一个；将第一探针板移动至第一部分中的第...

集成电路结构包括衬底、衬底第一侧上的光敏塑模、形成在塑模中的过孔以及沉积在衬底第一侧上以及过孔中的一致金属层。可以穿过衬底形成与塑模中的过孔对准的通孔，其具有沉积的通孔中的导电衬垫，与一致金属层电接触。集成电路结构还包括：诸如焊球的连接...

本发明公开了一种集成电路器件和用于制造该集成电路器件的方法。在一种实施例中，该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成栅极结构；去除部分衬底以在衬底中形成第一凹槽和第二凹槽，以使栅极结构介于第一凹槽和第二凹槽之间；在衬底中形成氮钝化层，以使第...

公开了一种用于制造半导体器件的方法。在衬底的腔室中且邻近衬底中的隔离结构形成应变材料。应变材料具有位于衬底的表面上方的角部。所公开的方法提供了改进方法，该改进方法用于形成邻近隔离结构并具有位于衬底腔室中的增加部分的应变材料，从而增强载流...

一种用于提供抑制字线电压的字线驱动电路包括：开关，被配置成选择性地将字线加载至抑制字线电压节点；和字线充电电路，连接在高电源节点和抑制字线电压节点之间。字线充电电路包括第一晶体管器件，响应于控制脉冲，将字线电压节点充电至抑制字线电压；和...

一种半导体体结构包括第一带状单元、第一读取端口以及第一VSS端。第一带状单元具有第一带状单元VSS区域。第一读取端口具有第一读取端口VSS区域、第一读取端口位线区域以及第一读取端口聚合物区域。第一VSS端被配置成将第一带状单元VSS区域...

本发明涉及支持完全模块化工作结超高压UHV发光二极管LED器件的结构。具体地，本发明提供了一种超高压(UHV)发光二极管(LED)器件。根据一个实施例，该器件包括：基板；多个LED结，被设置在基板上方，并且彼此连接；以及控制元件，包括多...