管芯中的金属焊盘结构制造技术

一种管芯包括衬底；位于衬底上方的金属焊盘部分；位于金属焊盘上方的钝化层；以及设置邻近于金属焊盘的伪图案，该伪图案与金属焊盘齐平，并且由与金属焊盘相同的材料形成，该伪图案形成包围至少三分之一金属焊盘的至少部分的环。本发明专利技术提供了管芯中的金属焊盘结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体而言，涉及半导体器件和管芯中的金属焊盘结构。
技术介绍
集成电路由上百万有源器件(诸如，晶体管和电容器)构成。这些器件最初是彼此隔离的，而后来互连形成了功能电路。典型的互连结构包括横向互连，诸如金属线(引线)；以及纵向互连，诸如通孔和接触件。互连结构对现代集成电路的性能限制和密度具有越来越大的决定性作用。在互连结构的顶部上形成连接件结构，其中，接合焊盘或金属凸块形成在相应的芯片表面上并且被暴露出来。通过接合焊盘/金属凸块形成电连接，从而将芯片连接至封装件衬底或另一个管芯。可以通过引线接合或倒装芯片接合来形成电连接。连接件结构的一种类型包括与由铜形成的互连结构电连接的铝焊盘。形成了钝化层和聚合物层，该钝化层和聚合物层的一部分覆盖铝焊盘的边缘部分。形成延伸至钝化层和聚合物层中的开口中的凸块下金属化层(UBM)。可以在UBM层上形成铜柱和焊料盖顶(cap)并且对其进行回流。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种器件，该器件包括管芯，所述管芯包括衬底；金属焊盘，位于所述衬底上方；钝化层，包括位于所述金属焊盘上方的部分；以及伪图案，邻近于所述金属焊盘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：管芯，包括：衬底；金属焊盘，位于所述衬底上方；钝化层，包括位于所述金属焊盘上方的部分；以及伪图案，邻近于所述金属焊盘，其中，所述伪图案与所述金属焊盘齐平并且由与所述金属焊盘相同的材料形成，并且其中，所述伪图案形成包围至少三分之一所述金属焊盘的至少部分的环。

【技术特征摘要】
2011.09.28 US 13/247,6161.ー种器件，包括 管芯，包括 衬底； 金属焊盘，位于所述衬底上方； 钝化层，包括位于所述金属焊盘上方的部分；以及 伪图案，邻近于所述金属焊盘，其中，所述伪图案与所述金属焊盘齐平并且由与所述金属焊盘相同的材料形成，并且其中，所述伪图案形成包围至少三分之一所述金属焊盘的至少部分的环。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述伪图案和所述管芯的中心位于所述金属焊盘的相对两面上，并且其中，所述伪图案不延伸至所述金属焊盘与所述管芯的中心相同的面。3.根据权利要求1所述的器件，进ー步包括使所述伪图案与所述金属焊盘相连接的其他伪图案部分，并且其中，所述金属焊盘、所述伪图案、以及所述其他伪图案部分限定区域，并且所述钝化层包括在所述区域中设置的部分。4.ー种器件，包括 管芯，包括角部区域、边缘区域、以及被所述角部区域和所述边缘区域包围着的内部区域，其中，所述管芯进ー步包括 衬底； 第一金属焊盘，位于所述衬底上方以及所述角部区域之一中； 钝化层，包括位于所述第一金属焊盘上方的部分； 金属柱，与所述第一金属焊盘重叠并且电连接至所述第一金属焊盘，其中，所述金属柱在所述管芯的表面介电层上方延伸； 第一伪图案，邻近于所述第一金属焊盘，其中，一部分所述第一伪图案以及所述管芯的中心位于所述第一金属焊盘的相对两面上；以及 第二金属焊盘，位于所述衬底上方以及所述内部区域中，其中，没有伪图案邻近于所述第二金属焊盘，其中，所述第一伪图案与所述第一金属焊盘、所述第二金属焊盘以及所述第ー伪图案齐平并且由与所述第一金属焊盘、所述第二金属焊盘以及所述第一伪图案相同的材料形成。5.根据权利要求4所述的器件，进ー步包括 第三金属焊盘，位于所述衬底上方以及所述边缘区域之一中；以及第二伪图案，邻近于所述第三金属焊盘，其中，一部分所述第二伪图...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄曜群，庄其达，郭正铮，陈承先，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：