用于芯片级封装的电连接制造技术

本发明专利技术提供了用于提供后钝化开口和接触下金属化层的系统和方法。实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。通过以这种方式成型和对准穿过后钝化层的开口，后钝化层有助于防护下面的层免受由材料的热膨胀系数的失配所生成的应力。本发明专利技术还提供了用于芯片级封装的电连接。

【技术实现步骤摘要】
用于芯片级封装的电连接
本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及用于芯片级封装的电连接。
技术介绍
通常，半导体管芯可以通过利用焊料凸块的封装类型连接至半导体管芯外部的其他器件。可通过首先在半导体管芯上形成接触下金属化层然后将焊料放置到接触下金属化层上方来形成焊料凸块。在已经放置焊料之后，可以执行回流操作以将焊料成形为期望的凸块形状。然后，可以将焊料凸块设置为与外部器件的物理接触，并且可以执行另一个回流操作以将焊料凸块与外部器件结合。以这种方式，可以在半导体管芯和外部器件(诸如印刷电路板、另一半导体管芯等)之间进行物理和电连接。然而，包括接触下金属化层的材料仅仅是放置到许多不同材料(诸如电介质材料、金属材料、蚀刻停止材料、阻挡层材料和在形成半导体管芯中所使用的其他材料)的叠层上方的一种或多种类型的材料。这些不同材料中的每一种都可以具有与其他材料不同的唯一热膨胀系数。如果半导体管芯经受升高的温度，则这种类型的热膨胀系数失配可能会引起问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件，包括：后钝化层，位于衬底上方，所述衬底具有热膨胀系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：后钝化层，位于衬底上方，所述衬底具有热膨胀系数失配的第一方向；以及；第一开口，穿过所述后钝化层，所述第一开口具有第一尺寸和第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸，其中，所述第一尺寸垂直于所述热膨胀系数失配的第一方向进行对准。

【技术特征摘要】
2011.10.07 US 13/269,3101.一种半导体器件，包括：后钝化层，位于衬底上方，所述衬底具有热膨胀系数失配的第一方向；以及；第一开口，穿过所述后钝化层并且形成在所述后钝化层中，所述第一开口具有第一尺寸和第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸，其中，所述第一尺寸垂直于所述热膨胀系数失配的第一方向进行对准，所述第一尺寸沿着所述第一开口的开口纵轴；其中，所述半导体器件用于保护所述后钝化层下面的层免受所述第一方向的由层之间的热膨胀系数失配所生成的应力。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：接触下金属化层，延伸穿过所述第一开口。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二开口，穿过所述后钝化层，所述第二开口的形状为圆形。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开口沿着所述衬底的边缘定位。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一开口定位在所述衬底的角区域处，并且所述第二开口沿着所述衬底的边缘定位。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二开口在所述衬底的内部区域内定位。7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二开口，具有第三尺寸和第四尺寸，所述第三尺寸大于所述第四尺寸，所述第三尺寸垂直于热膨胀系数失配的第二方向进行对准。8.一种半导体器件，包括：电介质层，位于衬底上方；第一开口，穿过所述电介质层并且形成在所述电介质层中，所述第一开口具有第一尺寸和第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，所述第一尺寸和所述第二尺寸与所述衬底的主面平行，其中，所述第一尺寸垂直于在所述衬底的中心和所述第一开口的中心之间延伸的第一线进行对准；以及第一接触下金属化层，延伸到所述第一开口中；其中，所述半导体器件用于保护所述电介质层下面的层免受所述第一线上的由层之间的热膨胀系数失配所生成的应力。9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：第二开口，穿过所述电介质层，所述第二开口具有圆形的形状。10.根据权利要求9所述的半导体器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：游明志，林文益，李福仁，林柏尧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：