驱动IC封装凸块及封装结构制造技术

技术编号:8515041 阅读:161 留言:0更新日期:2013-03-30 14:14
本实用新型专利技术公开了驱动IC封装凸块及封装结构,其中驱动IC封装凸块包括:铝垫、硅片、硅片护层、保护层、导电层和双层凸块,铝垫设置在硅片上,铝垫与硅片表面设置有硅片护层,双层凸块设置在铝垫上,双层凸块包括第一金层和钯层,双层凸块与硅片护层之间设置导电层和保护层;驱动IC封装结构包括:硅片、封装凸块和封装基板,封装凸块设置在硅片表面,封装基板的下表面设置有槽孔,封装凸块配置于槽孔内。通过上述方式,本实用新型专利技术驱动IC封装凸块及封装结构,采用金加钯的双层凸块当作一个媒介层,能够降低材料成本,产品寿命更长,可靠度更加,增强了市场竞争性。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及驱动IC封装领域,特别是涉及一种驱动IC封装凸块及封装结构
技术介绍
目前业界在驱动IC封装上是使用纯金凸块,为节省成本也有业者推出铜、镍金等组合来取代金,铜的价格虽然比金便宜许多,但制造的程序上需多加至少两道制程才能体现,也就是镀镍、镀铜,所以成本优势仅仅只有109Γ15%左右,加上铜是一种极易在一般环境下氧化的材料,所以铜的可靠度、保存性度远远不能满足现在业界的需求。在封装的过程中,金属的硬度是一个关键的考虑因素,太硬会使得晶片的表面保护层在封装过程中因为承受不了应力而产生破裂,太软会使得凸块产生大量的形变,造成相邻两个凸块形成短路,此外,传统的封装仅仅采用纯金或铜镍金的组合凸块当封装的媒介层,但因为金价日益提升,且铜镍金的组合制程复杂,铜又是一种极易氧化的金属。在IC封装过程中,随着封装密度的提高,原本的传统封装形态已经难以满足键合工艺要求,为使其能达到工艺控制要求,我们开发出一些相应的封装技术,提高了产品的可靠性,其中金/钯凸块因其价格及金属本身相对于其他金属的稳定性,使其更具优势。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种驱动IC封装凸块及封装结构,采用金加钯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动IC封装凸块,其特征在于,包括:铝垫、硅片、硅片护层、保护层、导电层和双层凸块,所述铝垫设置在硅片上,所述铝垫与硅片表面设置有硅片护层,所述双层凸块设置在铝垫上,所述双层凸块包括第一金层和钯层,所述双层凸块与硅片护层之间设置导电层和保护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:余家良
申请(专利权)人:江苏汇成光电有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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