图像传感器的晶圆级封装结构制造技术

一种图像传感器的晶圆级封装结构，包括：图像传感器；位于图像传感器一侧表面的引脚，位于图像传感器另一侧表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述图像传感器的表面和侧壁；位于第一绝缘层内的通孔，所述通孔暴露出图像传感器引脚；形成于第一绝缘层表面的焊盘；位于第一绝缘层表面和通孔侧壁、且与焊盘和图像传感器引脚电连接的金属线层；包裹所述金属线层表面和侧壁的第二绝缘层。本实用新型专利技术图像传感器的晶圆级封装结构中，金属线层不易被氧化，封装结构的性能稳定。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片封装领域，特别涉及一种图像传感器的晶圆级封装结构。技术背景图像传感器是一种将一维或二维光学信息(optical information)转换为电信号的装置。图像传感器可以被进一步地分为两种不同的类型互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。其中CMOS图像传感器具有比CCD图像传感器更广泛的应用。CMOS图像传感器包括用于感测辐射光的光电二极管以及用于将所感测的光处理为电信号数据的CMOS逻辑电路。芯片级封装(Chip Scale Package, CSP)是一种广泛应用的图像传感器的封装技术。随着芯片的尺寸越来越小，功能越来越强，焊垫数目增多，间距变窄，相应地，对芯片封装也提出了较高的要求，晶圆级封装逐渐应用到图像传感器的封装中。然而，现有技术采用晶圆级封装图像传感器时，形成的图像传感器的晶圆级封装结构的性能不够稳定。更多有关晶圆级封装的资料请公开号为CN101740422A的中国专利文件。
技术实现思路
本技术解决的问题是提供一种图像传感器的晶圆级封装结构，所述图像传感器的晶圆级封装结构的性能稳定。为解决上述问题，本技术的实施例提供了一种图像传感器的晶圆级封装结构，包括图像传感器；位于图像传感器一侧表面的引脚，位于图像传感器另一侧表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述图像传感器的表面和侧壁；位于第一绝缘层内的通孔，所述通孔暴露出图像传感器引脚；形成于第一绝缘层表面的焊盘；位于第一绝缘层表面和通孔侧壁、且与焊盘和图像传感器引脚电连接的金属线层；包裹所述金属线层表面和侧壁的第二绝缘层。可选地，每一图像传感器引脚对应区域的第一绝缘层内通孔的个数为一个或多个。可选地，所述第二绝缘层的材料为环氧树脂。可选地，所述第二绝缘层的厚度为10微米-20微米。可选地，还包括位于焊盘表面形成焊点，所述焊点表面高于第二绝缘层表面。可选地，还包括基板，图像传感器的感光单元靠近所述基板表面；位于所述基板和晶圆之间的通孔基板，所述通孔基板暴露出图像传感器的感光单元。可选地，所述通孔基板的材料为陶瓷、玻璃、BT树脂、耐燃材料或高聚物光刻材料。与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下优点所述金属线层表面和侧壁包裹有第二绝缘层，有效避免了金属线层和外界的空气、水分等接触，所述金属线层不易被氧化，本技术图像传感器的晶圆级封装结构的性倉急进一步的，每一图像传感器引脚对应区域的第一绝缘层内通孔的个数为多个，避免了其中一个通孔的金属线层与引脚的接触不良，而导致的封装的图像传感单元的信号传输不畅的问题，图像传感器的晶圆级封装结构的稳定性高。附图说明图I是现有技术的图像传感器的晶圆级封装结构的制作过程的剖面结构示意图；·图2是本技术实施例的的流程示意图；图3-图10是本技术实施例的图像传感器的晶圆级封装结构的制作过程的剖面结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有技术采用晶圆级封装图像传感器时，形成的图像传感器的晶圆级封装结构的性能不够稳定。经过研究，专利技术人发现，请参考图1，现有技术采用晶圆级封装图像传感器的过程，包括提供形成有多个图像传感器13的晶圆，所述图像传感器13—侧的表面13a具有引脚11 ;形成位于所述图像传感器13另一侧表面13b和侧壁13c的第一绝缘层15，所述第一绝缘层15覆盖所述图像传感器13的表面13b和侧壁13c ;在每一图像传感器13的引脚11对应区域的第一绝缘层15内形成通孔(未标示)，所述通孔暴露出图像传感器13的引脚11 ；在所述第一绝缘层15表面形成焊盘17，并在第一绝缘层15表面和通孔侧壁形成金属线层19，所述金属线层19与焊盘17和图像传感器13的引脚11电连接；形成覆盖所述金属线层19的第二绝缘层21 ;刻蚀所述第二绝缘层21暴露出焊盘17，并在所述焊盘17表面形成焊点23 ;待形成焊点23后，切割所述晶圆、第一绝缘层15、第二绝缘层21和金属线层19，形成多个独立的图像传感单元(未标示)。由于所述晶圆、第一绝缘层15、第二绝缘层21和金属线层19在同一工艺步骤中切害I]，虽然可以节省工艺步骤，但是形成的独立的图像传感单元侧壁暴露出金属线层19，所述金属线层19的侧壁暴露在空气中容易被氧化，造成所述图像传感单元的性能不稳定。经过进一步研究，专利技术人提供了一种图像传感器的晶圆级封装结构，所述金属线层表面和侧壁包裹有第二绝缘层，有效避免了金属线层和外界的空气、水分等接触，所述金属线层不易被氧化，本技术图像传感器的晶圆级封装结构的性能稳定。为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。请参考图2，本技术实施例的，包括步骤S101，提供基板和位于基板表面的晶圆，所述晶圆表面形成有多个图像传感器，所述图像传感器靠近基板一侧的表面具有感光单元和与所述感光单元电连接的引脚；步骤S103，形成位于所述图像传感器背离基板一侧表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述图像传感器背离基板一侧的表面和侧壁；步骤S105，在每一图像传感器引脚对应区域的第一绝缘层内形成通孔，所述通孔暴露出图像传感器引脚；步骤S107，在所述第一绝缘层表面形成焊盘，并在第一绝缘层表面和通孔侧壁形成金属线层，所述金属线层与焊盘和图像传感器引脚电连接；步骤S109，去除相邻图像传感器之间区域的金属线层，暴露出金属线层侧壁；步骤S111，形成包裹所述金属线层表面和侧壁的第二绝缘层；步骤S113，在第二绝缘层包裹所述金属线层侧壁后，切割晶圆，形成独立的图像传感单元，所述图像传感单元中金属线层侧壁由第二绝缘层包裹。具体的，请参考图3-图10，图3-图10示出了本技术实施例的图像传感器的晶圆级封装结构的制作过程的剖面结构示意图。请参考图3,提供基板200和位于基板200表面的晶圆(未标不),所述晶圆表面形成有多个图像传感器203，所述图像传感器203靠近基板一侧的表面203a具有感光单元205和与所述感光单元205电连接的引脚207。所述基板200用于为图像传感器203的晶圆级封装的制作提供工作平台。所述基板200通常由透光材料制成。在本技术的实施例中，所述基板200的材料为玻璃。所述晶圆的材料为单晶硅。在本技术的实施例中，所述晶圆表面形成有多个图像传感器203。所述图像传感器203靠近基板200 —侧的表面203a具有感光单元205，用于后续接收光信号，并将接收到的光信号转换成电信号。所述图像传感器203靠近基板200 一侧的表面203a还具有引脚207，所述引脚207与感光单元205电连接，用于传递感光单元205产生的电信号。需要说明的是，在本技术的实施例中，基板200与晶圆之间还具有通孔基板201，所述通孔基板201具有开口(未标示)，用于暴露出图像传感器203的感光单元205。所述通孔基板201的材料为陶瓷、玻璃、BT树脂(即以双马来酰亚胺(BMI)和三嗪为主树脂成分，并加入环氧树脂、聚丙醚树脂(PPE)或烯丙基化合物等作为改性组分，形成的热固性树脂)、耐燃材料(例如环氧玻璃布层压板)或高聚物光刻材料。在本技术的实施例中，所述通孔基板201的材料为BT树脂。需要说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：图像传感器；位于图像传感器一侧表面的引脚，位于图像传感器另一侧表面的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述图像传感器的表面和侧壁；位于第一绝缘层内的通孔，所述通孔暴露出图像传感器引脚；形成于第一绝缘层表面的焊盘；位于第一绝缘层表面和通孔侧壁、且与焊盘和图像传感器引脚电连接的金属线层；包裹所述金属线层表面和侧壁的第二绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓辉，夏欢，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：