半导体封装结构及其制法制造技术

一种半导体封装结构及其制法，该半导体封装结构包括半导体芯片、封装层、介电层、线路层与金属箔，该半导体芯片具有相对的作用面与非作用面、形成于该作用面上的多个电极垫、及多个形成于各该电极垫上的金属凸块，该封装层包覆该半导体芯片，并外露该作用面，该介电层设于该作用面与封装层上，且具有多个外露各该金属凸块的布线图案开口区，该线路层设于各该布线图案开口区中，该金属箔设于该封装层邻近该非作用面的表面上，且该金属箔的一表面上具有多个金属突起部，各该金属突起部贯穿该封装层以延伸至该半导体芯片的非作用面。本发明专利技术能有效改善现有半导体封装结构的厚度过厚与可靠度不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装结构及其制法，尤指一种嵌埋有半导体芯片的半导体封装结构及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品在型态上趋于轻薄短小，而在规格上仍需符合美国电子工程设计发展协会(Joint Electronic Device Engineering Council,简称JEDEC)规范，故封装方式相当重要。例如随机内存(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)的芯片因朝40奈米(nm)以下发展，其芯片尺寸越来越小，但封装后的面积仍需相 同，使封装结构的用以接置电路板(PCB)的焊球间距(ball pitch)维持在0.8公厘(mm)，以符合JEDEC的标准，因而扩散型(fan-out)晶片尺寸封装是可采用的封装方法之一。又其中，第三代双倍资料率同步动态随机存取内存(Double-Data-Rate Three SynchronousDynamic Random Access Memory,简称DDR3 SDRAM)是一种目前最新的计算机内存规格，其常用的封装方式为开窗型球栅数组(Window BGA)。请参阅图1，其为现有开窗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，包括：半导体芯片，其具有相对的作用面与非作用面、形成于该作用面上的多个电极垫及多个形成于各该电极垫上的金属凸块；封装层，其包覆该半导体芯片，并外露该作用面；介电层，其形成于该作用面及与该作用面同侧的封装层的表面上，且具有多个外露各该金属凸块的布线图案开口区；线路层，其形成于各该布线图案开口区中，且电性连接该金属凸块，该线路层延伸至形成于与该作用面同侧的封装层的表面上的介电层上；绝缘保护层，其形成于该介电层与线路层上，且具有多个绝缘保护层开孔，以外露部分该线路层；以及金属箔，其设于与该非作用面同侧的该封装层的表面上，且该金属箔的一表面上具有多个金属突起部，各该金属突起部贯穿该...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪群，胡玉山，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：