半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。使用半导体层的元件形成在布线层之间，并且同时使用除用于布线的材料之外的导电材料形成栅电极。第一布线嵌入第一布线层的表面中。栅电极形成在第一布线上。栅电极耦合至第一布线。通过与用于第一布线的工艺不同的工艺形成栅电极。因此，使用除用于第一布线的材料之外的材料形成栅电极。而且，在栅电极上形成栅极绝缘膜和半导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，其中半导体元件形成在多层布线层中，以及用于制造该半导体器件的方法。
技术介绍
·根据专利文献1，半导体膜形成在布线层中，并且使用半导体膜和布线层的布线形成晶体管。在晶体管中，位于半导体膜下的布线用作栅电极，并且布线层之间的扩散防止膜用作栅极绝缘膜。日本未审查专利公开2010-141230。
技术实现思路
要求晶体管的特性之一是阈值电压。除栅极绝缘膜的膜厚之外，阈值电压还由栅电极以及栅极绝缘膜的材料控制。但是，根据在专利文献I中描述的技术，包括在多层布线层中的布线用作栅电极。因此，不能改变栅电极的材料。根据本专利技术，提供了一种半导体器件，包括第一布线层，其具有第一布线；第二布线层，其形成在第一布线层上并且具有第二布线；栅电极，其在厚度方向上位于第一布线和第二布线之间，包含与第一布线的材料不同的材料，并且耦合至第一布线；栅极绝缘膜，其位于栅电极上；半导体层，其位于栅极绝缘膜上；以及第一通路(via)，其嵌入第二布线层并且将半导体层和第二布线耦合。根据本专利技术，使用半导体层的元件可以形成在布线层之间。而且，可以通过与用于布线层中的布线的工艺不同的工艺形成栅电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一布线层，所述第一布线层具有第一布线；第二布线层，所述第二布线层形成在所述第一布线层上并且具有第二布线；栅电极，所述栅电极在厚度方向上位于所述第一布线和所述第二布线之间，包含与所述第一布线的材料不同的材料，并且耦合至所述第一布线；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜位于所述栅电极上；半导体层，所述半导体层位于所述栅极绝缘膜上；以及第一通路，所述第一通路嵌入在所述第二布线层中并且将所述半导体层和所述第二布线耦合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：砂村润，井上尚也，金子贵昭，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：