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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。使用半导体层的元件形成在布线层之间，并且同时使用除用于布线的材料之外的导电材料形成栅电极。第一布线嵌入第一布线层的表面中。栅电极形成在第一布线上。栅电极耦合至第一布线。通过与用于第一布线的工艺不同的工艺...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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