一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构及晶闸管制造技术

技术编号:8515040 阅读:191 留言:0更新日期:2013-03-30 14:14
本实用新型专利技术提供了一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构,三个箭头状铝垫片星形连接,围绕于单个元胞的中央门极。和一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构的晶闸管,所述的多元胞大功率晶闸管本体为圆形,中心设置一个正六边形元胞,所述正六边形元胞周边蜂窝状布置6个类正六边形元胞,其边沿由6个钝角扇形元胞填充。本实用新型专利技术技术方案,大功率晶闸管铝垫片能够与正六边形-钝角扇形互补多元胞大功率晶闸管阴极/控制极结构匹配很好。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

—种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构及晶闸管
本技术属于电子元器件领域,特别涉及一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构及晶闸管。
技术介绍
晶闸管是晶体闸流管的简称。传统的晶闸管芯片的形状是圆形,控制极在阴极的中间或稍偏。晶闸管的表面击穿电压低于体内击穿电压。改进芯片的表面造型可以使芯片表击穿电压接近其体内击穿电压,从而获得正反向阻断电压对称的具有较强耐压能力的晶闸管。一般采用机械磨角造成有一定角度的台面,通过化学腐蚀清洗以后覆盖保护层,保证台面清洁不导电,降低电场避免打火,从而达到承受高电压的目的。现有大功率晶闸管铝垫片均为单元胞结构。即目前现有大功率晶闸管每只管子只有一个单元,与其相适应的铝垫片当然也只有一个单元,与具有多个单元的相对,称前者为单元胞结构,后者为多元胞结构,具体元胞结构必须与所适配的晶闸管元胞结构相对应。正六边形-钝角扇形互补多元胞大功率晶闸管结构相适配的正六边形-钝角扇形互补多元胞大功率晶闸管铝垫片结构示意图。铝垫片用于安装在晶闸管的器件层阴极与外阴极引线之间,具有互联、支撑、隔离、散热等作用,其中的缝隙用于分布门极引线和与门极引线之间绝缘之用。现有铝垫片不适用于多元胞大功率晶闸管制造。晶闸管铝垫片的具体元胞结构必须与所适配的晶闸管元胞结构相对应。所以,只有一个单元的晶闸管铝垫片当然不是用于多元胞大功率晶闸管制造。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构及晶闸管,晶闸管铝垫片结构与多元胞大功率 晶闸管对应连接良好。为达到上述目的,本技术所采用的技术方案为一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构,三个箭头状铝垫片星形连接,围绕于单个元胞的中央门极。一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构的晶闸管,所述的多元胞大功率晶闸管本体为圆形,中心设置一个正六边形元胞,所述正六边形元胞周边蜂窝状布置6个类正六边形元胞,其边沿由6个钝角扇形元胞填充。所述多元胞大功率晶闸管为正六边形-钝角扇形互补多元胞KK/KA系列大功率晶闸管。本技术技术方案,多元胞大功率晶闸管铝垫片能够与正六边形-钝角扇形互补多元胞大功率晶闸管阴极/控制极结构匹配很好。附图说明图1为本技术多元胞大功率晶闸管铝垫片结构的晶闸管结构示意图。具体实施方式以下结合说明书附图对本技术做出详细阐述。如图1所示,圆形本体中心设置一个正六边形元胞(2),正六边形元胞(2)周边蜂窝状布置6个类正六边形元胞(4),其边沿由6个钝角扇形元胞(3)填充,元胞的中间为中央门极(21),多元胞大功率晶闸管铝垫片结构(I)设置在中央门极(21),结构为三个箭头状铝垫片星形连接围绕中央门极(21),多元胞大功率晶闸管铝垫片结构(I)间缝隙(11)用于分布门极引线和与门极引线之间绝缘之用。本技术技术方案,大功率晶闸管铝垫片能够与正六边形-钝角扇形互补多元胞大功率晶闸管阴极/控制极结构匹配很好。权利要求1.一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构,其特征在于,三个箭头状铝垫片星形连接,围绕于单个元胞的中央门极。2.一种如权利要求1所述的多元胞大功率晶闸管铝垫片结构的晶闸管,其特征在于, 所述的多元胞大功率晶闸管本体为圆形,中心设置一个正六边形元胞,所述正六边形元胞周边蜂窝状布置6个类正六边形元胞,其边沿由6个钝角扇形元胞填充。专利摘要本技术提供了一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构,三个箭头状铝垫片星形连接,围绕于单个元胞的中央门极。和一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构的晶闸管,所述的多元胞大功率晶闸管本体为圆形,中心设置一个正六边形元胞,所述正六边形元胞周边蜂窝状布置6个类正六边形元胞,其边沿由6个钝角扇形元胞填充。本技术技术方案,大功率晶闸管铝垫片能够与正六边形-钝角扇形互补多元胞大功率晶闸管阴极/控制极结构匹配很好。文档编号H01L29/74GK202839590SQ20122058043公开日2013年3月27日 申请日期2012年11月5日 优先权日2012年11月5日专利技术者王勇, 张海鹏, 康文生 申请人:杭州汉安半导体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构,其特征在于,三个箭头状铝垫片星形连接,围绕于单个元胞的中央门极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王勇张海鹏康文生
申请(专利权)人:杭州汉安半导体有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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