一种双芯片玻封二极管制造技术

技术编号:8474684 阅读:186 留言:0更新日期:2013-03-24 19:55
本实用新型专利技术公开了一种双芯片玻封二极管,它包括:同轴布置的上玻壳和下玻壳,位于上玻壳中的上芯片,位于下玻壳中的下芯片,位于上玻壳上端内部的上杜镁丝电极,位于下玻壳下端内部的下杜镁丝电极,以及位于上、下玻壳之间的杜镁丝块;其中,上杜镁丝电极上焊接有伸出上玻壳外的上电极引线,下杜镁丝电极上焊接有伸出下玻壳外的下电极引线,杜镁丝块的上部和下部分别插设在上玻壳和下玻壳内,且杜镁丝块的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部,上芯片嵌在杜镁丝块与上杜镁丝电极之间,下芯片嵌在杜镁丝块与下杜镁丝电极之间。本实用新型专利技术的双芯片玻封二极管成本低廉,有利于优化线路板空间。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

一种双芯片玻封二极管
本技术涉及二极管的生产制造领域,具体涉及一种双芯片玻封二极管。
技术介绍
传统结构的二极管仅具有一个芯片,玻壳两端内部各插设一个杜镁丝电极,玻壳内装有嵌在两杜镁丝电极之间的芯片,每个杜镁丝电极上焊接一条电极引线。这种传统结构的二极管不利于优化线路板空间尺寸。
技术实现思路
本技术目的是为了解决上述问题,提供一种可优化线路板空间的双芯片玻封二极管。本技术的技术方案是本技术的双芯片玻封二极管,包括同轴布置的上玻壳和下玻壳,位于上玻壳中的上芯片,位于下玻壳中的下芯片,位于上玻壳上端内部的上杜镁丝电极,位于下玻壳下端内部的下杜镁丝电极,以及位于上、下玻壳之间的杜镁丝块;其中,上杜镁丝电极上焊接有伸出上玻壳外的上电极引线,下杜镁丝电极上焊接有伸出下玻壳外的下电极引线,杜镁丝块的上部和下部分别插设在上玻壳和下玻壳内,且杜镁丝块的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部,上芯片嵌在杜镁丝块与上杜镁丝电极之间,下芯片嵌在杜镁丝块与下杜镁丝电极之间。本技术的优点是I、本技术的二极管在使用时,可将杜镁丝块和上电极引线接入外界电路,构成一个电路独立工作;也可将杜镁丝块和下电极引线接入外界电路,构成另一电路独立工作。这种结构的一个二极管就具备了两个传统二极管的功能,便于优化线路板空间。2、本技术二极管在制作时,上下两个玻壳同时高温焊接,可以使四个焊点减少为三个,节省焊接成本,同时较少能源浪费。附图说明以下结合附图及实施例对本技术作进一步描述图I为本技术实施例的结构示意图;其中1-上玻壳,2-下玻壳,3-上芯片,4-下芯片,5-上杜镁丝电极,6-下杜镁丝电极,7-杜镁丝块,8-上电极引线,9-下电极引线。具体实施方式如图I所示,本实施例的二极管包括同轴布置的上玻壳I和下玻壳2,位于上玻壳I中的上芯片3,位于下玻壳2中的下芯片4,位于上玻壳I上端内部的上杜镁丝电极5,位于下玻壳2下端内部的下杜镁丝电极6,以及位于上、下玻壳1、2之间的杜镁丝块3 ;其中,上杜镁丝电极5上焊接有伸出上玻壳I外的上电极引线8,下杜镁丝电极6上焊接有伸出下玻壳2外的下电极引线9,杜镁丝块7的上部和下部分别插设在上玻壳I和下玻壳2内,且杜镁丝块7的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部,上芯片3嵌在杜镁丝块7 与上杜镁丝电极5之间,下芯片4嵌在杜镁丝块7与下杜镁丝电极6之间。本实施例的二极管在使用时,可将杜镁丝块7和上电极引线8接入外界电路,构成一个电路独立工作;同时也可将杜镁丝块7和下电极弓I线9接入外界电路,构成另一电路独立工作。这种结构的一个二极管就具备了两个传统二极管的功能,便于优化线路板空间。当然,上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点,其目的在于让人们能够了解本技术的内容并据以实施,并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双芯片玻封二极管,其特征在于它包括:同轴布置的上玻壳(1)和下玻壳(2),位于上玻壳(1)中的上芯片(3),位于下玻壳(2)中的下芯片(4),位于上玻壳(1)上端内部的上杜镁丝电极(5),位于下玻壳(2)下端内部的下杜镁丝电极(6),以及位于上、下玻壳(1、2)之间的杜镁丝块(7);其中,上杜镁丝电极(5)上焊接有伸出上玻壳(1)外的上电极引线(8),下杜镁丝电极(6)上焊接有伸出下玻壳(2)外的下电极引线(9),杜镁丝块(7)的上部和下部分别插设在上玻壳(1)和下玻壳(2)内,且杜镁丝块(7)的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部,上芯片(3)嵌在杜镁丝块(7)与上杜镁丝电极(5)之间,下芯片(4)嵌在杜镁丝块(7)与下杜镁丝电极(6)之间。

【技术特征摘要】
1.一种双芯片玻封二极管,其特征在于它包括 同轴布置的上玻壳(I)和下玻壳(2), 位于上玻壳(I)中的上芯片(3), 位于下玻壳(2)中的下芯片(4), 位于上玻壳(I)上端内部的上杜镁丝电极(5), 位于下玻壳(2)下端内部的下杜镁丝电极(6), 以及位于上、下玻壳(1、2)之间的杜镁丝块(7); 其中,上杜镁丝电极(5 ...

【专利技术属性】
技术研发人员:王俭
申请(专利权)人:苏州群鑫电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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