【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及。
技术介绍
传统的硅通孔结构为圆柱形结构，其制作工艺如图Ia至Ic的剖面图所示，即对硅衬底10表面上的掩膜11进行光刻(图la)、对光刻后被暴露部分的硅衬底10进行刻蚀(图 lb)、对刻蚀后的孔进行化学机械抛光并对化学机械抛光后的孔进行镀铜12从而形成最终的圆柱形硅通孔(图lc)。但是，对于该传统的圆柱形硅通孔结构而言，由于所镀的铜与硅衬底之间的热膨胀系数不匹配，所以在受热过程中，所镀的铜膨胀地更加厉害，因此在铜与硅衬底之间会产生应力，而应力的产生往往会导致互连的失效。然而，目前还没有一种有效的方法来消除这种应力。
技术实现思路
本专利技术针对现有圆柱形硅通孔结构中因所镀的金属与硅衬底之间热膨胀系数不匹配而导致在所镀的金属与硅衬底之间产生应力的缺陷，提供一种能够有效缓解该应力的硅通孔结构。本专利技术提供一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。由于在根据本专利技术的硅通孔结构中，位于主体部分的周边且与该主体部分...
【技术保护点】
一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡坚，李金睿，谭琳，王谦，陈瑜，王水弟，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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