一种硅通孔结构及其制备方法技术

本发明专利技术针对现有硅通孔结构中因电镀的金属与硅衬底之间热膨胀系数不匹配而导致在所电镀的金属与硅衬底之间产生应力的缺陷，提供一种能够有效缓解该应力的硅通孔结构。本发明专利技术提供一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及。
技术介绍
传统的硅通孔结构为圆柱形结构，其制作工艺如图Ia至Ic的剖面图所示，即对硅衬底10表面上的掩膜11进行光刻(图la)、对光刻后被暴露部分的硅衬底10进行刻蚀(图 lb)、对刻蚀后的孔进行化学机械抛光并对化学机械抛光后的孔进行镀铜12从而形成最终的圆柱形硅通孔(图lc)。但是，对于该传统的圆柱形硅通孔结构而言，由于所镀的铜与硅衬底之间的热膨胀系数不匹配，所以在受热过程中，所镀的铜膨胀地更加厉害，因此在铜与硅衬底之间会产生应力，而应力的产生往往会导致互连的失效。然而，目前还没有一种有效的方法来消除这种应力。
技术实现思路
本专利技术针对现有圆柱形硅通孔结构中因所镀的金属与硅衬底之间热膨胀系数不匹配而导致在所镀的金属与硅衬底之间产生应力的缺陷，提供一种能够有效缓解该应力的硅通孔结构。本专利技术提供一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。由于在根据本专利技术的硅通孔结构中，位于主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽能够缓解主体部分中所镀的金属与硅衬底之间由热膨胀系数不匹配所产生的应力，所以大大减小了互连失效的几率，提高了产品的可靠性。附图说明图Ia至Ic是制备传统硅通孔结构的流程图2至图6是根据本专利技术的硅通孔结构的俯视图7a和图7b分别是采用ANSYS工具进行有限元分析而仿真得到的传统硅通孔结构与根据本专利技术的具有2个应力释放槽的硅通孔结构的应力分布图；以及图8a至图Se是根据本专利技术的硅通孔结构的制备流程图。具体实施方式下面结合附图来详细描述根据本专利技术的硅通孔结构。如图2的俯视图所示，根据本专利技术的硅通孔结构包括主体部分21和位于该主体部分21的周边且与该主体部分21贯通的应力释放槽22，其中，所述主体部分21中镀有金属 (斜线所示)，所述应力释放槽22的至少一部分中不镀有金属(在图2中，应力释放槽22中完全不镀金属)。虽然图2中示出了 I个应力释放槽22，但是根据实际需要，应力释放槽22的个数可以多于一个(例如，图3示出了 2个应力释放槽22，图4示出了 3个应力释放槽22，图5 示出了 4个应力释放槽22)，而且应力释放槽22的形状可以根据需要选取(例如，图6示出了与图2至图5不同形状的应力释放槽22)。优选地，所述主体部分21为圆柱形结构，且所述应力释放槽22的宽度小于所述主体部分21的直径。更优选地，所述应力释放槽22的宽度小至不能在该应力释放槽22中镀金属。另外，应力释放槽22的长度和宽度可以通过ANSYS之类的设计工具进行设计，以使得所得到的应力释放槽22能够缓解因所镀金属与硅衬底之间热膨胀系数不匹配而产生的应力的影响。图7a和图7b分布示出了采用ANSYS工具进行有限元分析而仿真得到的传统硅通孔结构与根据本专利技术的具有2个应力释放槽22的硅通孔结构的应力分布图，从图7a 可以看出，传统硅通孔结构中位于镀铜柱底部与硅衬底相接触的部位应力集中，数值较大， 很容易出现失效。在加入两个应力释放槽22之后，应力的分布有了明显的改善，如图7b所/Jn ο根据本专利技术的硅通孔结构的制备方法流程图如图8a至Se所示，其中，根据本专利技术的硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽。 首先，在硅衬底80的表面上形成掩膜81并对掩膜8 I进行光刻以暴露用于制备所述主体部分和所述应力释放槽的硅部分得到如图8a所示的剖面图。然后，对所暴露的所述硅部分进行刻蚀以得到用于形成所述主体部分21的孔和用于形成所述应力释放槽22的孔，如图 Sb的剖面图和图Sc的俯视图所示。然后，对用于形成所述主体部分21的孔进行抛光(例如，化学机械抛光)，其中，当用于形成所述应力释放槽22的孔的宽度很小以致于不能进行化学机械抛光时不对该孔进行化学机械抛光，或者不论是否能对用于形成所述应力释放槽 22的孔进行化学机械抛光都不对其进行化学机械抛光(这适用于在应力释放槽22中不镀金属的情况)，或者在能够对用于形成应力释放槽22的孔进行化学机械抛光的情况下对其进行化学机械抛光。然后对抛光后的用于形成主体部分21的孔镀金属82，其中，当用于形成应力释放槽22的孔的宽度使得能够对其镀金属时，可以对用于形成应力释放槽22的孔的一部分镀金属或者对用于形成应力释放槽22的孔全部不镀金属，而当用于形成应力释放槽22的孔的宽度小至不能对该孔镀金属时，不对其镀金属，如图8d的剖面图和图8e的俯视图所示。这样，就形成了最终的具有应力释放槽的硅通孔结构。以上仅结合本专利技术的优选实施方式对本专利技术进行了描述，但是在不背离本专利技术精神和范围的情况下，可以对本专利技术进行各种修改和变形。权利要求1.一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。2.根据权利要求I所述的硅通孔结构，其中，所述应力释放槽的数量为I个或多个。3.根据权利要求I所述的硅通孔结构，其中，所述应力释放槽的全部都不镀有金属。4.根据权利要求I所述的硅通孔结构，其中，所述主体部分为圆柱形结构，且所述应力释放槽的宽度小于所述主体部分的直径。5.根据权利要求4所述的硅通孔结构，其中，所述应力释放槽的宽度小至不能在该应力释放槽中镀金属。6.一种制备硅通孔结构的方法，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，该方法包括在娃衬底上形成掩膜；对所述掩膜进行光刻以暴露用于制备所述主体部分和所述应力释放槽的硅部分； 对所暴露的所述硅部分进行刻蚀以得到用于形成所述主体部分的孔和用于形成所述应力释放槽的孔；对用于形成所述主体部分的孔进行抛光；以及对抛光后的所述用于形成所述主体部分的孔镀金属。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述应力释放槽的数量为I个或多个。8.根据权利要求6所述的方法，其中，用于形成所述应力释放槽的孔中不镀有金属或者被部分镀有金属。9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述主体部分为圆柱形结构，且所述应力释放槽的宽度小于所述主体部分的直径。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述应力释放槽的宽度小至不能在该应力释放槽中镀金属。全文摘要本专利技术针对现有硅通孔结构中因电镀的金属与硅衬底之间热膨胀系数不匹配而导致在所电镀的金属与硅衬底之间产生应力的缺陷，提供一种能够有效缓解该应力的硅通孔结构。本专利技术提供一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。文档编号H01L21/768GK102938396SQ20121044141公开日2013年2月20日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日专利技术者蔡坚, 李金睿, 谭琳, 王谦, 陈瑜, 王水弟 申请人:清华大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡坚，李金睿，谭琳，王谦，陈瑜，王水弟，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：