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本发明针对现有硅通孔结构中因电镀的金属与硅衬底之间热膨胀系数不匹配而导致在所电镀的金属与硅衬底之间产生应力的缺陷，提供一种能够有效缓解该应力的硅通孔结构。本发明提供一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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